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公开(公告)号：CN102142518B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010619510.9
申请日：2010-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 李学来 , 饶峰 , 宋志棠 , 任堃 , 吴良才 , 刘波 , 刘卫丽
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种相变存储材料及其制备方法，该相变存储材料包括铝锑二元材料，所述铝锑二元材料的组成式为AlxSb1-x，其中0
公开(公告)号：CN102142518A
公开(公告)日：2011-08-03
