-
公开(公告)号：CN118567027A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410791920.3
申请日：2024-06-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种双层低损耗铌酸锂光栅耦合器及其制备方法，所述耦合器由下至上包括衬底(1)、埋氧层(2)、氮化硅层(3)、铌酸锂层(4)和上包层(5)。本发明通过异质集成的方式，在单层铌酸锂光栅下另添加一层光栅，即可达到与现有技术相近的耦合效率，具有低损耗，工艺流程简单，制作工艺容差大的优势。
Search Results
1
records
(took 0.049 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
