公开(公告)号：CN102828244B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201210359830.4

申请日：2012-09-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 丁古巧 ,  朱云 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: C30B29/06 ,  C23C8/20 ,  C23C16/26 ,  C01B31/02

Abstract: 本发明涉及石墨烯薄膜制备领域，具体公开了一种基于镍铜复合衬底的层数可控石墨烯薄膜材料及其制备方法，包括如下步骤：1）镍铜复合衬底的制备；2）渗碳：将铜镍复合衬底加热至200～300℃后，通入碳源气体和载气，保温30～240min，对镍层进行渗碳；3）析碳：切断碳源气体的供应，将铜镍复合衬底温度升高到300～1000℃，通入载气，保温10-180min，获得基于镍铜复合衬底的石墨烯薄膜。本发明的有益效果为，不仅提出了新的制备工艺，使石墨烯的层数控制更加容易，还解决了目前复合衬底制备成本高的问题，获得了一种成本低、制备方法简单易控，产品质量好、面积大的石墨烯薄膜材料。

公开(公告)号：CN102583359B

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201210096785.8

申请日：2012-04-01

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 丁古巧 ,  王庶民 ,  龚谦 ,  朱云 ,  孙雷 ,  狄增峰 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C23C16/26 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C23C16/003

Abstract: 本发明公开了一种利用液态金属或合金作为催化剂化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法。低熔点的金属包括典型的镓、锡和铟等；低熔点的合金包括镓-铜、镓-镍、铟-铜、铟-镍、锡-铜、锡-镍和铜-银-锡等。本发明在金属或合金催化剂熔点之上进行化学气相沉积，从而在催化剂表面以及催化剂与基底界面形成连续的石墨烯薄膜。相比于铜和镍等固体催化剂表面生长石墨烯，本发明所制备的石墨烯层数可控、对基底表面微观形貌要求低、适用于多种基底材料、并且催化剂的移除非常简单。所获得的位于液体表面的石墨烯具有独特的应用价值。

公开(公告)号：CN102874801A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210390882.8

申请日：2012-10-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  王刚 ,  朱云 ,  陈达 ,  张苗 ,  丁古巧 ,  谢晓明

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明提供一种石墨烯的制备方法，在氢气和惰性气氛下将半导体基底加热至810~910℃，保持该温度不变且通入碳源，采用化学气相沉积的方法在所述半导体基底表面进行反应，反应完毕后关闭碳源，并在氢气和惰性气氛下冷却至室温，完成在所述半导体基底表面制备石墨烯。相较于采用化学气相沉积在传统基底表面生长石墨烯而言，本发明直接在半导体材料表面合成制备石墨烯，简化了石墨烯制备工艺；同时，通过调节反应参数，可制备大尺寸、层数可控且无缺陷高质量石墨烯薄膜；另外，本发明与半导体工业相兼容，将能更快地推动石墨烯在半导体工业界的广泛应用。

公开(公告)号：CN102828244A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210359830.4

申请日：2012-09-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 丁古巧 ,  朱云 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: C30B29/06 ,  C23C8/20 ,  C23C16/26 ,  C01B31/02

Abstract: 本发明涉及石墨烯薄膜制备领域，具体公开了一种基于镍铜复合衬底的层数可控石墨烯薄膜材料及其制备方法，包括如下步骤：1）镍铜复合衬底的制备；2）渗碳：将铜镍复合衬底加热至200～300℃后，通入碳源气体和载气，保温30～240min，对镍层进行渗碳；3）析碳：切断碳源气体的供应，将铜镍复合衬底温度升高到300～1000℃，通入载气，保温10-180min，获得基于镍铜复合衬底的石墨烯薄膜。本发明的有益效果为，不仅提出了新的制备工艺，使石墨烯的层数控制更加容易，还解决了目前复合衬底制备成本高的问题，获得了一种成本低、制备方法简单易控，产品质量好、面积大的石墨烯薄膜材料。

公开(公告)号：CN102583359A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210096785.8

申请日：2012-04-01

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 丁古巧 ,  王庶民 ,  龚谦 ,  朱云 ,  孙雷 ,  狄增峰 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C23C16/26 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C23C16/003

Abstract: 本发明公开了一种利用液态金属或合金作为催化剂化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法。低熔点的金属包括典型的镓、锡和铟等；低熔点的合金包括镓-铜、镓-镍、铟-铜、铟-镍、锡-铜、锡-镍和铜-银-锡等。本发明在金属或合金催化剂熔点之上进行化学气相沉积，从而在催化剂表面以及催化剂与基底界面形成连续的石墨烯薄膜。相比于铜和镍等固体催化剂表面生长石墨烯，本发明所制备的石墨烯层数可控、对基底表面微观形貌要求低、适用于多种基底材料、并且催化剂的移除非常简单。所获得的位于液体表面的石墨烯具有独特的应用价值。