公开(公告)号：CN116247003A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310196606.6

申请日：2023-03-03

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  田子傲 ,  洪伟达 ,  刘冠宇 ,  张杰军

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种金属互连线制备方法。该方法包括：(1)提供一基底，在基底的上表面形成材料层；(2)在材料层的上表面形成金属层，在金属层的上表面形成刻蚀阻挡层；(3)采用干法刻蚀工艺刻蚀所述刻蚀阻挡层之外的金属层，形成薄金属层；(4)用钝化工艺将所述薄金属层钝化形成钝化层；(5)用湿法刻蚀工艺刻蚀所述钝化层；(6)去除所述刻蚀阻挡层，留下互连线层。该方法可以减小干法刻蚀过程对目标衬底材料的损伤，保持材料的本征特性，有利于提升所制作器件的电学特性，扩展了金属互连线在二维材料、有机半导体、钙钛矿等脆弱材料的应用范围。

公开(公告)号：CN118782638A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410851399.8

申请日：2024-06-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  田子傲 ,  曾道兵 ,  张苗 ,  张杰军

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/316 ,  H01L21/34 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种与二维材料兼容的单晶Al2O3介质及其集成器件，通过在单晶石墨烯/锗(110)衬底上范德华(vdW)外延单晶Al薄膜，将所述单晶Al薄膜从石墨烯/锗衬底上剥离并进行插层氧化，在所述单晶Al薄膜的下表面生成与二维材料兼容的单晶Al2O3介质。本发明得到的单晶Al2O3介质的栅极漏电流(J