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公开(公告)号：CN111537670B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202010312318.9
申请日：2020-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明涉及气体测试设备领域，本发明公开了一种顶接触式气体测试腔及应用其的动态气体测试系统。该顶接触式气体测试腔包括：第一壳体，该第一壳体的顶部设有第一凹槽和探针固定孔；第二壳体，该第二壳体的底部设有第二凹槽，该第二凹槽与该第一凹槽通过该第一壳体和该第二壳体对接形成通孔；其中，该通孔的一端与供气装置连接，该通孔用于放置气体传感器和流通气体。本发明提供的顶接触式气体测试腔具有稳定时间短、测试效果好，以及与普通探针构成的气体测试系统具有成本低和占用空间小的特点。
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公开(公告)号：CN112432977B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011295179.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/12 , G01N27/414
Abstract: 本申请公开了一种有机场效应晶体管气体传感器及其制备方法，所述有机场效应晶体管气体传感器包括绝缘层、气敏材料层、栅电极、源极和漏极；所述绝缘层形成于所述栅电极之上；所述气敏材料层用于与被检测气体反应，所述气敏材料层设于所述绝缘层上方；所述气敏材料层由掺杂有F4TCNQ的气敏材料制作而成；所述源极和所述漏极位于同一层，且均设于所述气敏材料层的上方。本申请通过掺杂有F4TCNQ的气敏材料，能够提高器件的信噪比，同时能够提高器件的灵敏度和选择性等性能。
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公开(公告)号：CN111537670A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010312318.9
申请日：2020-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明涉及气体测试设备领域，本发明公开了一种顶接触式气体测试腔及应用其的动态气体测试系统。该顶接触式气体测试腔包括：第一壳体，该第一壳体的顶部设有第一凹槽；第二壳体，该第二壳体的底部设有第二凹槽和探针固定孔，该第二凹槽与该第一凹槽通过该第一壳体和该第二壳体对接形成通孔；其中，该通孔的一端与供气装置连接，该通孔用于放置气体传感器和流通气体。本发明提供的顶接触式气体测试腔具有稳定时间短、测试效果好，以及与普通探针构成的气体测试系统具有成本低和占用空间小的特点。
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公开(公告)号：CN112540105B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202011442807.2
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/12 , G01N27/414
Abstract: 本申请涉及气体传感器技术领域，本申请公开了一种用于检测有机磷化合物的气体传感器，其包括栅极绝缘结构、有机半导体层、源漏极和修饰层；该栅极绝缘结构的顶部设有该有机半导体层；该有机半导体层的顶部设有该源漏极和该修饰层；该源漏极的源极和漏极之间设有该修饰层，该修饰层的材料为杯芳烃，该修饰层用于调节该气体传感器的灵敏度和气体选择性。本申请提供的该气体传感器具有灵敏度高和对有机磷化合物选择性高的特点。
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公开(公告)号：CN111574691A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010249769.2
申请日：2020-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种荧光星型聚合物及其制备方法和应用，该聚合物的重复单元的结构式为式I或式II；所述式I的结构式如下所示： 所述式II的结构式如下所示： 式I中，R和R’均为烷基，R和所述R’中的碳原子数均为6～14；式II中，R为烷基，R的碳原子数为6～14。该聚合物是以苯[1,2-b:3,4-b':5,6-b”]三噻吩(TTB)与芴或者咔唑为结构单元的二维聚合物网状结构，该聚合物响应速度快、选择性好、灵敏度高，可以为化学爆炸物荧光检测技术提供有利帮助，也能够应用于发光二极管、生物成像、传感器等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115308269B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202210937290.7
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及一种气体传感器的制备方法，包括提供衬底；在衬底上制备至少一个由石墨烯缓冲层和有机柔性绝缘材料缓冲层组成的组合缓冲层；在最顶端的有机柔性绝缘材料缓冲层上制备敏感材料层，敏感材料层为石墨烯传感层；在敏感材料层上形成源极和漏极；进行后处理，在石墨烯缓冲层和有机柔性绝缘材料缓冲层的接触面处引入含氧官能团增加层间的互斥作用，优化敏感材料层的氧化程度。根据本发明的气体传感器及其应用，其用于检测苯类气体。根据本发明的气体传感器，将有机柔性绝缘材料缓冲层放置于两个石墨烯层中间抵消外界作用力，通过简单堆叠石墨烯层的方式增加石墨烯层与层之间的滑动作用，增强石墨烯气体传感器的耐弯折性能。
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公开(公告)号：CN115308269A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210937290.7
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及一种气体传感器的制备方法，包括提供衬底；在衬底上制备至少一个由石墨烯缓冲层和有机柔性绝缘材料缓冲层组成的组合缓冲层；在最顶端的有机柔性绝缘材料缓冲层上制备敏感材料层，敏感材料层为石墨烯传感层；在敏感材料层上形成源极和漏极；进行后处理，在石墨烯缓冲层和有机柔性绝缘材料缓冲层的接触面处引入含氧官能团增加层间的互斥作用，优化敏感材料层的氧化程度。根据本发明的气体传感器及其应用，其用于检测苯类气体。根据本发明的气体传感器，将有机柔性绝缘材料缓冲层放置于两个石墨烯层中间抵消外界作用力，通过简单堆叠石墨烯层的方式增加石墨烯层与层之间的滑动作用，增强石墨烯气体传感器的耐弯折性能。
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公开(公告)号：CN111574691B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010249769.2
申请日：2020-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种荧光星型聚合物及其制备方法和应用，该聚合物的重复单元的结构式为式I或式II；所述式I的结构式如下所示：所述式II的结构式如下所示：式I中，R和R’均为烷基，R和所述R’中的碳原子数均为6～14；式II中，R为烷基，R的碳原子数为6～14。该聚合物是以苯[1,2‑b:3,4‑b':5,6‑b”]三噻吩(TTB)与芴或者咔唑为结构单元的二维聚合物网状结构，该聚合物响应速度快、选择性好、灵敏度高，可以为化学爆炸物荧光检测技术提供有利帮助，也能够应用于发光二极管、生物成像、传感器等领域。
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公开(公告)号：CN112540105A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011442807.2
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/12 , G01N27/414
Abstract: 本申请涉及气体传感器技术领域，本申请公开了一种用于检测有机磷化合物的气体传感器，其包括栅极绝缘结构、有机半导体层、源漏极和修饰层；该栅极绝缘结构的顶部设有该有机半导体层；该有机半导体层的顶部设有该源漏极和该修饰层；该源漏极的源极和漏极之间设有该修饰层，该修饰层的材料为杯芳烃，该修饰层用于调节该气体传感器的灵敏度和气体选择性。本申请提供的该气体传感器具有灵敏度高和对有机磷化合物选择性高的特点。
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公开(公告)号：CN112432977A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011295179.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/12 , G01N27/414
Abstract: 本申请公开了一种有机场效应晶体管气体传感器及其制备方法，所述有机场效应晶体管气体传感器包括绝缘层、气敏材料层、栅电极、源极和漏极；所述绝缘层形成于所述栅电极之上；所述气敏材料层用于与被检测气体反应，所述气敏材料层设于所述绝缘层上方；所述气敏材料层由掺杂有F4TCNQ的气敏材料制作而成；所述源极和所述漏极位于同一层，且均设于所述气敏材料层的上方。本申请通过掺杂有F4TCNQ的气敏材料，能够提高器件的信噪比，同时能够提高器件的灵敏度和选择性等性能。
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