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公开(公告)号：CN102339951B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110160543.6
申请日：2011-06-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器，其存储单元尺寸在10F2以下，所使用的相变材料为：二元材料SbxM100-x，40≦x≦98，或三元材料MySbxTe100-x，40≦x≦98，1≦y≦40。本发明所提供的该相变存储器单元，具有超快的相变速度，超低的功耗，超强的疲劳使用寿命，以及适中的高低电阻比例和适中的数据保持能力。克服了传统DRAM器件在亚28纳米工艺节点之后所遇到的技术瓶颈，可实现对DRAM的替代。
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公开(公告)号：CN102386327A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110376922.9
申请日：2011-11-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种相变材料的制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成非晶Si-SbxTe1-x材料层，其中0.1≤x≤0.9；在所述Si-SbxTe1-x复合材料的结晶温度之上，对所述Si-SbxTe1-x执行第一次退火工艺，使得其中的非晶Si和SbxTe1-x晶体形成分相；将退火后分相的非晶Si与SbxTe1-x的复合材料置于氢气氛中执行第二次退火工艺，使其中的非晶Si转变为微晶Si以形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料；对所述微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料执行加热退火脱氢工艺。相较于现有技术，本发明制备的是微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，微晶态的Si晶粒尺寸在3纳米至20纳米左右，缺陷比非晶态Si少，能有效抑制氧化，阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散，具有更稳定的特性。
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公开(公告)号：CN102339951A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110160543.6
申请日：2011-06-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器，其存储单元尺寸在10F2以下，所使用的相变材料为：二元材料SbxM100-x，40≦x≦98，或三元材料MySbxTe100-x，40≦x≦98，1≦y≦40。本发明所提供的该相变存储器单元，具有超快的相变速度，超低的功耗，超强的疲劳使用寿命，以及适中的高低电阻比例和适中的数据保持能力。克服了传统DRAM器件在亚28纳米工艺节点之后所遇到的技术瓶颈，可实现对DRAM的替代。
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公开(公告)号：CN102136548A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010619487.3
申请日：2010-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种相变材料的干法刻蚀方法，采用离子束干法刻蚀，该方法包括以下步骤：步骤一，在氧化硅衬底上磁控溅射生长相变材料薄膜；步骤二，经过清洗、涂胶、前烘、曝光、显影步骤后，得到刻蚀准备片；步骤三，利用含氟气体与辅助气体，在刻蚀气压为20~80mTorr、刻蚀功率为150~300W的条件下刻蚀后，得到流片；步骤四，将刻蚀完成的流片去胶后进入下一道工序。通过对各种气体配比、气压、功率、时间等刻蚀参数的控制及它们的不同组合，得到良好的刻蚀侧壁及表面形貌，为后续工艺做好准备，使器件达到更精准的水平。
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公开(公告)号：CN102534479B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201010591390.6
申请日：2010-12-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料及制备方法，该复合相变材料由微晶态的Si和相变材料SbxTe1-x复合而成，其中0.1≤x≤0.9。可以利用PVD形成非晶Si-SbxTe1-x材料，然后在氢气气氛中退火形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，最后加热脱氢完成该材料的制备。本发明的微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料中，微晶Si的存在能有效抑制氧化，阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散，具有更稳定的特性。同时微晶态的Si改变了相变中电流的分布，有利于降低功耗提高寿命，改善相变存储器的操作稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102534479A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010591390.6
申请日：2010-12-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料及制备方法，该复合相变材料由微晶态的Si和相变材料SbxTe1-x复合而成，其中0.1≦x≦0.9。可以利用PVD形成非晶Si-SbxTe1-x材料，然后在氢气气氛中退火形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，最后加热脱氢完成该材料的制备。本发明的微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料中，微晶Si的存在能有效抑制氧化，阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散，具有更稳定的特性。同时微晶态的Si改变了相变中电流的分布，有利于降低功耗提高寿命，改善相变存储器的操作稳定性。
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公开(公告)号：CN102509732A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110453265.3
申请日：2011-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微控制器用嵌入式相变存储器及其制备方法与其NVM存储材料的制备方法。所述微控制器用嵌入式相变存储器包括动态随机存取存储单元和非易失性存储单元，所述动态随机存取存储单元和非易失性存储单元同时位于同一基片上。本发明针对COMS的单靶溅射工艺，利用向低数据保持力的DRAM用相变材料中注入Si离子，获得低操作功能高数据保持力的NVM用富Si相变材料，实现了将应用于DRAM和NVM的两种不同相变存储器的相变材料制备在同一基片。既得到了性能良好的SiSbTe或SiGeSbTe相变材料，又减少了光刻版的使用数量，大大简化了工艺步骤从而降低了技术难度和产品成本。
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公开(公告)号：CN102157685A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110033438.6
申请日：2011-01-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种相变存储材料及其制备方法，所述制备方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成非晶Si-SbxTe1-x材料层，其中0.1≤x≤0.9；在非晶Si-SbxTe1-x材料层上形成富含H的SiNy层，其中1≤y≤1.5；对Si-SbxTe1-x材料层及SiNy层进行快速退火，使其中的非晶Si转变为微晶Si以形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料。相较于现有技术，本发明提供的是微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，微晶态的Si晶粒尺寸在3纳米至20纳米左右，缺陷比非晶态Si少，能有效抑制氧化，阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散，具有更稳定的特性。
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公开(公告)号：CN102509732B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201110453265.3
申请日：2011-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微控制器用嵌入式相变存储器及其制备方法与其NVM存储材料的制备方法。所述微控制器用嵌入式相变存储器包括动态随机存取存储单元和非易失性存储单元，所述动态随机存取存储单元和非易失性存储单元同时位于同一基片上。本发明针对COMS的单靶溅射工艺，利用向低数据保持力的DRAM用相变材料中注入Si离子，获得低操作功能高数据保持力的NVM用富Si相变材料，实现了将应用于DRAM和NVM的两种不同相变存储器的相变材料制备在同一基片。既得到了性能良好的SiSbTe或SiGeSbTe相变材料，又减少了光刻版的使用数量，大大简化了工艺步骤从而降低了技术难度和产品成本。
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公开(公告)号：CN102157685B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110033438.6
申请日：2011-01-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种相变存储材料及其制备方法，所述制备方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成非晶Si-SbxTe1-x材料层，其中0.1≤x≤0.9；在非晶Si-SbxTe1-x材料层上形成富含H的SiNy层，其中1≤y≤1.5；对Si-SbxTe1-x材料层及SiNy层进行快速退火，使其中的非晶Si转变为微晶Si以形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料。相较于现有技术，本发明提供的是微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，微晶态的Si晶粒尺寸在3纳米至20纳米左右，缺陷比非晶态Si少，能有效抑制氧化，阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散，具有更稳定的特性。
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