公开(公告)号：CN111739963B

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202010525007.0

申请日：2020-06-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郑理 ,  周文 ,  程新红 ,  俞跃辉

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种硅基宽光谱光电探测器的制备方法，包括：将n型掺杂硅衬底清洗；在所述n型掺杂硅衬底底侧进行掺杂，形成N+区域；在所述N+区域底侧沉积金属接触材料，然后经过退火使所述金属接触材料与对应区域的所述顶层硅反应形成金属硅化物；在所述n型掺杂硅衬底顶侧进行钝化，形成钝化层；在所述钝化层表面形成n型/p型双层量子点；在所述量子点表面形成图形化透明电极。该方法制备得到的探测器从可见光到红外光均有高探测效率，并且可以与Si基CMOS集成电路相兼容，而且不会对衬底造成污染。

公开(公告)号：CN111739963A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010525007.0

申请日：2020-06-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郑理 ,  周文 ,  程新红 ,  俞跃辉

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种硅基宽光谱光电探测器的制备方法，包括：将n型掺杂硅衬底清洗；在所述n型掺杂硅衬底底侧进行掺杂，形成N+区域；在所述N+区域底侧沉积金属接触材料，然后经过退火使所述金属接触材料与对应区域的所述顶层硅反应形成金属硅化物；在所述n型掺杂硅衬底顶侧进行钝化，形成钝化层；在所述钝化层表面形成n型/p型双层量子点；在所述量子点表面形成图形化透明电极。该方法制备得到的探测器从可见光到红外光均有高探测效率，并且可以与Si基CMOS集成电路相兼容，而且不会对衬底造成污染。