公开(公告)号：CN117976522A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410133740.6

申请日：2024-01-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 彭炜 ,  吴止竞 ,  刘晓宇

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3205

Abstract: 本发明提供一种纳米线宽金属图形的制作方法，包括：提供衬底，于衬底上形成电子束抗蚀剂层；图形化电子束抗蚀剂层形成开口，开口贯穿电子束抗蚀剂层，开口呈漏斗状，开口包括底垂直部及位于底垂直部上方的顶倾斜部；于电子束抗蚀剂层上形成金属层，金属层并形成于开口中，其中，金属层的厚度小于底垂直部的高度；采用剥离法去除电子束抗蚀剂层以及位于电子束抗蚀剂层上方的金属层。本发明的纳米线宽金属图形的制作方法中，采用电子束灰度曝光形成漏斗状的图形开口，一方面防止图形开口在沉积金属过程中过早封闭，减小金属图形的厚度偏差，另一方面避免电子束抗蚀剂层剥离后金属图形两侧残留毛刺，形成高质量的金属图形。

公开(公告)号：CN118244570B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410676373.4

申请日：2024-05-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 彭炜 ,  吴止竞 ,  刘晓宇

IPC: G03F1/20 ,  G03F7/20 ,  G03F1/78

Abstract: 本发明提供一种金属图形的制作方法，该金属图形的制作方法包括以下步骤：利用版图设计工具制作出包括至少一目标图形和补偿图形的版图，目标图形包括至少一转角，补偿图形位于目标图形各个转角外围，将版图导入电子束曝光系统；提供一衬底，于衬底上表面形成电子束抗蚀层，再将该衬底置于电子束曝光系统中；以第一、二预设曝光剂量分别对目标图形与补偿图形所对应区域进行区域曝光，并对曝光后的电子束抗蚀层进行显影以形成具有图案的掩膜层；形成覆盖掩膜层的金属层；去除覆盖掩膜层上表面的金属层及掩膜层。本发明属于电子束光刻技术领域，利用补偿图形区域进行第二预设曝光剂量的曝光以对目标图形区域进行曝光剂量补偿，实现了高保真图形转移。

公开(公告)号：CN118244570A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410676373.4

申请日：2024-05-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 彭炜 ,  吴止竞 ,  刘晓宇

IPC: G03F1/20 ,  G03F7/20 ,  G03F1/78

Abstract: 本发明提供一种金属图形的制作方法，该金属图形的制作方法包括以下步骤：利用版图设计工具制作出包括至少一目标图形和补偿图形的版图，目标图形包括至少一转角，补偿图形位于目标图形各个转角外围，将版图导入电子束曝光系统；提供一衬底，于衬底上表面形成电子束抗蚀层，再将该衬底置于电子束曝光系统中；以第一、二预设曝光剂量分别对目标图形与补偿图形所对应区域进行区域曝光，并对曝光后的电子束抗蚀层进行显影以形成具有图案的掩膜层；形成覆盖掩膜层的金属层；去除覆盖掩膜层上表面的金属层及掩膜层。本发明属于电子束光刻技术领域，利用补偿图形区域进行第二预设曝光剂量的曝光以对目标图形区域进行曝光剂量补偿，实现了高保真图形转移。