公开(公告)号：CN111739937A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010553372.2

申请日：2020-06-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  刘少煜 ,  郑理 ,  俞跃辉

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/285 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种基于高k栅介质与低温欧姆接触工艺的SiC MOSFET的制备方法，包括：将外延N型轻掺SiC层的SiC衬底清洗；在SiC衬底的外延层使用离子注入和退火的方式形成N+源区、P型沟道区和P+终端区；在外延层沉积高k栅介质层，然后沉积栅金属，并通过刻蚀图形化；在外延层沉积钝化层介质，并通过刻蚀图形化；在外延层和重掺衬底沉积低温欧姆接触金属层，退火形成欧姆接触；在外延层和重掺衬底加厚金属。该方法降低了栅界面处的碳簇密度，提高了沟道迁移率。

公开(公告)号：CN118098944A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202211492706.5

申请日：2022-11-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  刘少煜 ,  郑理 ,  俞跃辉

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明提供一种基于碳化硅的富碳P型欧姆接触结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一P型碳化硅衬底；形成富碳结构于所述P型碳化硅衬底的上表面；形成金属层于所述P型碳化硅衬底的上表面，所述金属层覆盖所述富碳结构；进行退火以使所述金属层与富碳结构反应形成合金层，所述合金层包括金属硅化物、金属碳化物及石墨层。本发明通过在P型碳化硅衬底及金属层之间形成富碳结构以形成金属‑碳‑碳化硅结构，后续通过金属硅化退火步骤实现P型碳化硅欧姆接触，整体制作方法中温度范围较低，且制作方法较为灵活，能够有效避免形成欧姆接触时因极高的工艺温度造成器件结构中氧化物质量和可靠性退化，从而提高器件的性能稳定性和使用可靠性。

公开(公告)号：CN118136653A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202211532247.9

申请日：2022-12-01

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  刘少煜 ,  郑理 ,  俞跃辉

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种基于高k介质的碳化硅沟槽型MOSFET及其制作方法，包括：提供一衬底，其上表面形成有外延层；形成P阱于外延层的上表层；形成位于P阱的上表层的N型源区及至少一部分位于P阱中并与N型源区在水平方向上邻接的P型体接触区；形成沟槽；形成高k介质层覆盖沟槽内壁与底面并延伸至N型源区的部分上表面；形成栅电极层于沟槽中；形成源极欧姆接触层于P型体接触区的上表面还延伸至N型源区的上表面与高k介质层邻接；形成覆盖源极欧姆接触层与栅电极层的源极金属层。本发明的制作方法能够有效改善沟槽型MOSFET器件的沟槽拐角处栅氧层在反向耐压时电场集中以及沟槽侧壁栅氧层质量难以控制的问题，提高器件的性能。