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公开(公告)号：CN1815363A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200610024251.9
申请日：2006-03-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027 , G11C11/00 , G11C13/00
Abstract: 本发明涉及一种制作相变随机存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺，其刻蚀液的组成为：酸溶液为1～30％，氧化剂为0.5％～10％，络合剂为0.05％～10％，表面活性剂0.1～5％(均为wt％)，余量为去离子水。湿法刻蚀工艺步骤为：(1)清洗氧化硅片，依次沉积Ti或TiN，Pt或Au，以及相变材料膜；(2)在相变薄膜上光刻成图形；(3)沉积金属Pt或Au；(4)用剥离工艺去除曝光之外的金属Pt或Au；(5)用刻蚀液刻蚀相变材料；(6)沉积SiO2，形成的器件结构。本工艺充分利用刻蚀液的正向和侧向刻蚀，在有效控制刻蚀速率的条件下，用微米加工工艺制作了纳米相变存储器结构；制作之后离子对器件无污染，便于清洗、加工和废液处理成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100517065C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610024251.9
申请日：2006-03-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027 , G11C11/00 , G11C13/00
Abstract: 本发明涉及一种制作相变随机存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺，其刻蚀液的组成为：酸溶液为1～30%，氧化剂为0.5%～10%，络合剂为0.05%～10%，表面活性剂0.1～5%(均为wt%)，余量为去离子水。湿法刻蚀工艺步骤为：(1)清洗氧化硅片，依次沉积Ti或TiN，Pt或Au，以及相变材料膜；(2)在相变薄膜上光刻成图形；(3)沉积金属Pt或Au；(4)用剥离工艺去除曝光之外的金属Pt或Au；(5)用刻蚀液刻蚀相变材料；(6)沉积SiO2，形成的器件结构。本工艺充分利用刻蚀液的正向和侧向刻蚀，在有效控制刻蚀速率的条件下，用微米加工工艺制作了纳米相变存储器结构；制作之后离子对器件无污染，便于清洗、加工和废液处理成本低。
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公开(公告)号：CN100423232C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200610027258.6
申请日：2006-06-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用电子束曝光和化学机械抛光的工艺制作纳电子存储器的方法。工艺步骤是：(1)在清洗干净的衬底上热氧化一层氧化层；(2)沉积过渡层与底电极薄膜；(3)再次沉积过渡层与介质绝缘绝热层；(4)通过电子束曝光在绝缘绝热介质上形成纳米孔；(5)沉积相变材料，填满纳米孔；(6)对相变材料用化学机械抛光进行去除处理和平坦化；(7)再沉积绝缘介质层，刻蚀出小孔，且与纳米孔对应；(8)沉积电极；(9)对电极用化学机械抛光进行去除处理和平坦化；(10)通过引线引出上电极，形成器件单元或阵列。方法简单而且与集成电路工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN1866496A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610027258.6
申请日：2006-06-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用电子束曝光和化学机械抛光的工艺制作纳电子存储器的方法。工艺步骤是：(1)在清洗干净的衬底上热氧化一层氧化层；(2)沉积过渡层与底电极薄膜；(3)再次沉积过渡层与介质绝缘绝热层；(4)通过电子束曝光在绝缘绝热介质上形成纳米孔；(5)沉积相变材料，填满纳米孔；(6)对相变材料用化学机械抛光进行去除处理和平坦化；(7)再沉积绝缘介质层，刻蚀出小孔，且与纳米孔对应；(8)沉积电极；(9)对电极用化学机械抛光进行去除处理和平坦化；(10)通过引线引出上电极，形成器件单元或阵列。方法简单而且与集成电路工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN100492695C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200610027008.2
申请日：2006-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用低温键合和硅湿法刻蚀工艺制作相变随机存储器，其工艺步骤为：(1)清洗氧化硅片，依次沉积30nm Ti或TiN，100nm的Pt或Au。(2)将(100)硅片清洗干净，然后再与步骤(1)中的Pt或Au键合，再将键合之后的(100)硅片进行减薄和抛光。(3)在硅片上热氧化出SiO2，在SiO2上光刻成图形然后刻蚀掉图形下SiO2。(4)用刻蚀液对(100)硅片刻蚀，形成V型结构。(5)对形成的V型干氧氧化。(6)沉积相变材料，用化学机械抛光去除V型结构以外的相变材料。(7)再次光刻，沉积顶电极。在微米级的加工工艺条件下，实现了纳米相变存储器的单元器件。测试结果表明，单元器件的阈值电压电流都达到了实现可逆相变的目的。
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公开(公告)号：CN1858922A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200610027008.2
申请日：2006-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用低温键合和硅湿法刻蚀工艺制作相变随机存储器，其工艺步骤为：(1)清洗氧化硅片，依次沉积30nm Ti或TiN，100nm的Pt或Au。(2)将(100)硅片清洗干净，然后再与步骤(1)中的Pt或Au键合，再将键合之后的(100)硅片进行减薄和抛光。(3)在硅片上热氧化出SiO2，在SiO2上光刻成图形然后刻蚀掉图形下SiO2。(4)用刻蚀液对(100)硅片刻蚀，形成V型结构。(5)对形成的V型干氧氧化。(6)沉积相变材料，用化学机械抛光去除V型结构以外的相变材料。(7)再次光刻，沉积顶电极。在微米级的加工工艺条件下，实现了纳米相变存储器的单元器件。测试结果表明，单元器件的阈值电压电流都达到了实现可逆相变的目的。
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