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公开(公告)号:CN120090596A
公开(公告)日:2025-06-03
申请号:CN202510144347.1
申请日:2025-02-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03H11/24
Abstract: 本发明提供一种数控衰减器、级联衰减器及多级衰减器系统,涉及衰减器技术领域。该数控衰减器包括:第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第一隔离电阻、第二隔离电阻、第三隔离电阻、至少一个第一衰减电阻及均衡单元;至少一个第一衰减电阻及均衡单元串联连接在第一场效应管的漏极和第三场效应管的漏极之间。本发明对π型结构的衰减器进行改进,在衰减态引入均衡单元,随着频率增大时,衰减量变化较小,插损小且衰减精度高。
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公开(公告)号:CN118316428A
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202410374553.7
申请日:2024-03-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种单刀双掷开关电路、控制方法及芯片。该单刀双掷开关电路,包括第一开关支路和第二开关支路,第一开关支路的第一端与第二开关支路的第一端连接并构成单刀双掷开关电路的公共端,第一开关支路的第二端构成单刀双掷开关电路的第一开关接线端,第二开关支路的第二端构成单刀双掷开关电路的第二开关接线端;第一开关支路包括第一开关单元;第二开关支路包括第二开关单元;每个开关单元包括目标晶体管和至少一个与目标晶体管连接的冗余晶体管,各个冗余晶体管用于在目标晶体管失效后使该开关单元保持目标晶体管失效前的开关状态。本发明能够提高单刀双掷开关电路的可靠性。
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