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公开(公告)号：CN109039140B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201811227799.2
申请日：2018-10-22
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供了一种紧凑的高压开关组件，该方案包括有电源电路、若干个单元开关电路以及若干个连接件；每个开单元开关电路独立设置在一块PCB板上，各PCB板之间通过连接件固定连接；所述电源电路为每个单元开关电路分别供电。该方案采用一个开关可同时满足脉冲源的脉冲宽度、重频、电压等参数宽范围调节，大大提高了单个脉冲源的多功能应用，可广泛应用于各类高速高压测试仪器、等离子体发生器及激光器驱动等领域。
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公开(公告)号：CN109599369A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811465260.0
申请日：2018-12-03
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01L23/053 , H01L23/373 , H01L21/52
Abstract: 本发明涉及一种短时发热的大功率器件封装结构及方法，属于半导体封装技术领域，该封装结构包括大功率器件和封装壳体，所述封装壳体分为壳体上层和壳体下层，所述壳体上层为一封闭的空腔，所述大功率器件通过绝缘基板装在空腔底部，所述大功率器件的引线从壳体上层侧壁引出，所述壳体下层为一金属实体，在所述金属实体内设置有多个空心腔室，所述空心腔室内填充有相变材料。采用该封装结构的大功率器件无需再安装在靠近热沉的结构件上，其本身运行时，相变材料可以吸收短时间内大功率运行产生的热量，使元器件温度工作在安全的范围内，待机时，相变材料的热量通过印制板或很小的导热结构件散去，相变材料由液态转换到固态，满足下一次运行的条件。
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公开(公告)号：CN107947773B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201711226585.9
申请日：2017-11-29
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H03K17/13 , H03K17/082 , H03K17/16
Abstract: 本发明涉及一种磁隔离控制半导体开关的电源软启停和保护装置及电气系统，属于航天器电源技术领域，该装置包括母线连接回路、栅极控制及驱动回路和信号控制输入端，母线连接回路包括高电压母线连接端、功率半导体开关MOSFET、负载下拉电阻、负载输入电容、用电设备和母线回路地连接端，栅极控制及驱动回路包括低压直流线性可调电源、磁隔离变压器、低压高频开关管、控制回线地连接端和控制信号整流桥，信号控制输入端包括直流控制信号输入端、脉冲驱动信号输入端和用电设备使能控制信号输入端，本发明可以在“地电位”施加控制信号控制数百伏高电位下的功率半导体MOSFET开关，实现母线和用电设备的联通和断开，同时可以起到过压保护作用。
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公开(公告)号：CN107947773A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711226585.9
申请日：2017-11-29
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H03K17/13 , H03K17/082 , H03K17/16
CPC classification number: H03K17/133 , H03K17/0822 , H03K17/161
Abstract: 本发明涉及一种磁隔离控制半导体开关的电源软启停和保护装置及电气系统，属于航天器电源技术领域，该装置包括母线连接回路、栅极控制及驱动回路和信号控制输入端，母线连接回路包括高电压母线连接端、功率半导体开关MOSFET、负载下拉电阻、负载输入电容、用电设备和母线回路地连接端，栅极控制及驱动回路包括低压直流线性可调电源、隔离变压器、低压高频开关管、控制回线地连接端和控制信号整流桥，信号控制输入端包括直流控制信号输入端、脉冲驱动信号输入端和用电设备使能控制信号输入端，本发明可以在“地电位”施加控制信号控制数百伏高电位下的功率半导体MOSFET开关，实现母线和用电设备的联通和断开，同时可以起到过压保护作用。
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公开(公告)号：CN118534365B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410993983.7
申请日：2024-07-24
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G01R31/52 , G05B19/042
Abstract: 本发明涉及打火类型识别方案设计技术领域，具体涉及一种打火类型识别电路及识别方法、电子设备。所述方法包括：S100、检测短路信号的持续时间；S200、根据短路信号的持续时间判断打火类型是短路打火还是毛刺烧蚀打火，并根据判断结果判断是在执行电路保护动作的同时记录打火次数还是仅记录打火次数。本发明首先对短路情况进行识别，再经过专门设计的第一定时器电路和第二定时器电路，对打火持续时间进行识别判断；并在不同打火类型是采取不同措施，本发明创造性地运用了单稳态触发电路自动恢复功能，并对电容充放电以及充电时间RC常数等特性进行创造性运用。实现对打火类型进行识别，从而区分正常毛刺烧蚀打火和短路打火。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118534365A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410993983.7
申请日：2024-07-24
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G01R31/52 , G05B19/042
Abstract: 本发明涉及打火类型识别方案设计技术领域，具体涉及一种打火类型识别电路及识别方法、电子设备。所述方法包括：S100、检测短路信号的持续时间；S200、根据短路信号的持续时间判断打火类型是短路打火还是毛刺烧蚀打火，并根据判断结果判断是在执行电路保护动作的同时记录打火次数还是仅记录打火次数。本发明首先对短路情况进行识别，再经过专门设计的第一定时器电路和第二定时器电路，对打火持续时间进行识别判断；并在不同打火类型是采取不同措施，本发明创造性地运用了单稳态触发电路自动恢复功能，并对电容充放电以及充电时间RC常数等特性进行创造性运用。实现对打火类型进行识别，从而区分正常毛刺烧蚀打火和短路打火。
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公开(公告)号：CN110289775A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910463162.1
申请日：2019-05-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种多路交错高压电源系统及控制方法，该系统包括主控制电路和串联的n路小功率高压电源，其中n＞2，小功率高压电源包括控制模块、整流保护滤波电路、逆变电路、变压器和高压整流保护滤波电路。该控制方法为：将n路小功率高压电源串联组成多路交错高压电源，再在多路交错高压电源中设置一个主控制电路，主控制电路用于采集n路交错高压电源的总输出电压和输出电流，并向n路交错高压电源发出n路交错驱动信号，通过调节n路驱动信号的频率或脉宽，控制n路小功率高压电源工作。本发明的电压输出纹波更小，输出动态响应速度和电压上升沿更快，输出滤波电路储能更少，短路打火时对负载损害也更小，易于实现小型化轻量化设计。
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公开(公告)号：CN109039140A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811227799.2
申请日：2018-10-22
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供了一种紧凑的高压开关组件，该方案包括有电源电路、若干个单元开关电路以及若干个连接件；每个开单元开关电路独立设置在一块PCB板上，各PCB板之间通过连接件固定连接；所述电源电路为每个单元开关电路分别供电。该方案采用一个开关可同时满足脉冲源的脉冲宽度、重频、电压等参数宽范围调节，大大提高了单个脉冲源的多功能应用，可广泛应用于各类高速高压测试仪器、等离子体发生器及激光器驱动等领域。
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公开(公告)号：CN208849692U
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201821708078.9
申请日：2018-10-22
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本实用新型提供了一种紧凑的高压开关组件，该方案包括有电源电路、若干个单元开关电路以及若干个连接件；每个开单元开关电路独立设置在一块PCB板上，各PCB板之间通过连接件固定连接；所述电源电路为每个单元开关电路分别供电。该方案采用一个开关可同时满足脉冲源的脉冲宽度、重频、电压等参数宽范围调节，大大提高了单个脉冲源的多功能应用，可广泛应用于各类高速高压测试仪器、等离子体发生器及激光器驱动等领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207518564U
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201721629474.8
申请日：2017-11-29
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H03K17/13 , H03K17/082 , H03K17/16
Abstract: 本实用新型涉及一种磁隔离控制半导体开关的电源软启停和保护装置及电气系统，属于航天电源技术领域，该装置包括母线连接回路、栅极控制及驱动回路和信号控制输入端，母线连接回路包括高电压母线连接端、功率半导体开关MOSFET、负载下拉电阻、负载输入电容、用电设备和母线回路地连接端，栅极控制及驱动回路包括低压直流线性可调电源、隔离变压器、低压高频开关管、控制回线地连接端和控制信号整流桥，信号控制输入端包括直流控制信号输入端、脉冲驱动信号输入端和用电设备使能控制信号输入端，本实用新型可以在“地电位”施加控制信号控制数百伏高电位下的功率半导体MOSFET开关，实现母线和用电设备的联通和断开，同时可以起到过压保护作用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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