公开(公告)号：CN102540349A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210014097.2

申请日：2012-01-18

Applicant: 中北大学

Inventor： 苏淑靖 ,  焦新泉 ,  薛晨阳 ,  臧俊斌 ,  闫树斌 ,  张文栋 ,  仝晓刚 ,  晋玉剑 ,  王景雪 ,  崔丹凤 ,  韦丽萍 ,  王永华 ,  田学东

IPC: G02B6/34

Abstract: 本发明公开了一种光纤与光波导芯片高效垂直耦合互连的封装方法，其包括以下步骤：制备出硅基纳米波导光栅，并应用扫描电镜对硅基纳米波导光栅进行扫描；准备好低折射率固化封装材料；制备单模光纤；在硅基纳米波导光栅的表面涂覆光学增透膜；调整单模光纤和硅基纳米波导光栅之间的位置；点胶单模光纤与硅基纳米波导光栅的耦合端；对点胶的内部封装体进行曝光固化；制备出V型光纤定位槽；将单模光纤放置到V型光纤定位槽中；进行单模光纤的固化封装；对点胶的V型光纤定位槽进行曝光固化；对最终封装后的结构进行测试。本发明克服目前光集成芯片上纳米波导与光栅垂直耦合系统的不稳定性等缺点，且结构简单、稳定性好、抗外界干扰且易于阵列集成。

公开(公告)号：CN102401840A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110359745.3

申请日：2011-11-14

Applicant: 中北大学

Inventor： 刘俊 ,  唐军 ,  薛晨阳 ,  张斌珍 ,  张文栋 ,  田学东 ,  李长龙 ,  史伟莉 ,  谭振新 ,  臧俊斌

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/09 ,  G01P15/12 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种Si基HEMT嵌入式微加速度计，包括Si衬底，所述Si衬底包括由刻蚀形成的外围基座、悬臂梁和质量块构成的微加速度计结构；所述Si衬底在高电子迁移率晶体管(HEMT)的加工位置处具有HEMT材料层薄膜，并且所述HEMT材料层薄膜包括GexSi1-x缓冲层和其它HEMT材料层；在所述HEMT材料层薄膜上加工有高电子迁移率晶体管(HEMT)。本发明进一步提供了上述Si基HEMT嵌入式微加速度计的生产方法。本发明所述微加速度计解决了GaAs基微结构的弹性较差，应用过程中容易断裂、测试工作难度较大等问题。