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公开(公告)号：CN107895079B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201711119188.1
申请日：2017-11-14
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种全频带超宽带天线电路模型，由N个A类基本模型单元和M个B类基本模型单元串联而成。基本模型单元总数目K（K=N+M）与测试频段内天线射频阻抗参数实部的频域冲击数目相等。A类基本模型单元数目N与频段划分后各频段Z参数经矢量拟合所得多项式中的电容型多项式数目相等。B类基本模型单元数目M与频段划分后各频段Z参数（射频阻抗参数）实部经矢量拟合所得多项式中电感型多项式数目相等。本发明实现在全频带超宽带条件下，对天线输入阻抗特性的高精度仿真。还公开了基于矢量拟合方法的利用测量射频阻抗参数提取所述全频带超宽带天线模型元件参数值的方法。
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公开(公告)号：CN106777483A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611024213.3
申请日：2016-11-18
Applicant: 东南大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种用于集成电路的片上电感等效电路模型，包括输入端、输出端、串联部分和衬底部分；所述串联部分与所述衬底部分并联在输入端与输出端之间；所述串联部分中包括趋肤寄生单元，所述趋肤寄生单元并联在串联部分中电阻的两端，所述趋肤寄生单元包括依次串联的趋肤寄生电容、趋肤寄生电阻和趋肤寄生电感。本发明还提供了用于集成电路的片上电感等效电路模型中参数的提取方法。本发明提出的包含趋肤效应和衬底横向耦合效应寄生元件的片上电感等效电路模型能够提高仿真同测试结果的拟合精度。同时，电路模型的参数提取的方法也更加简单，使整个电路模型实现对片上电感的高精度仿真。
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公开(公告)号：CN106777483B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201611024213.3
申请日：2016-11-18
Applicant: 东南大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种用于集成电路的片上电感等效电路模型，包括输入端、输出端、串联部分和衬底部分；所述串联部分与所述衬底部分并联在输入端与输出端之间；所述串联部分中包括趋肤寄生单元，所述趋肤寄生单元并联在串联部分中电阻的两端，所述趋肤寄生单元包括依次串联的趋肤寄生电容、趋肤寄生电阻和趋肤寄生电感。本发明还提供了用于集成电路的片上电感等效电路模型中参数的提取方法。本发明提出的包含趋肤效应和衬底横向耦合效应寄生元件的片上电感等效电路模型能够提高仿真同测试结果的拟合精度。同时，电路模型的参数提取的方法也更加简单，使整个电路模型实现对片上电感的高精度仿真。
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公开(公告)号：CN107895079A
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201711119188.1
申请日：2017-11-14
Applicant: 东南大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了一种全频带超宽带天线电路模型，由N个A类基本模型单元和M个B类基本模型单元串联而成。基本模型单元总数目K（K=N+M）与测试频段内天线射频阻抗参数实部的频域冲击数目相等。A类基本模型单元数目N与频段划分后各频段Z参数经矢量拟合所得多项式中的电容型多项式数目相等。B类基本模型单元数目M与频段划分后各频段Z参数（射频阻抗参数）实部经矢量拟合所得多项式中电感型多项式数目相等。本发明实现在全频带超宽带条件下，对天线输入阻抗特性的高精度仿真。还公开了基于矢量拟合方法的利用测量射频阻抗参数提取所述全频带超宽带天线模型元件参数值的方法。
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