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公开(公告)号：CN110809807A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201880043692.4
申请日：2018-06-22
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01B13/00 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/336 , H01L27/11507 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01Q1/38 , H05K3/10
Abstract: 本发明的目的是提供导电膜、和不伴随高温并且长时间的加热处理而通过短时间的光照射可以获得导电性良好的导电膜或导电图案的导电膜的制造方法、以及使用了这样的导电膜的制造方法的场效应型晶体管的制造方法、和无线通信装置的制造方法。用于达到上述目的的本发明的导电膜的制造方法是下述导电膜的制造方法，其包含下述工序：在基板上涂布含有用碳单质进行了表面被覆的导电性粒子的导电性糊剂而形成涂布膜的工序；以及向上述涂布膜照射闪光的工序。
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公开(公告)号：CN111492233A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880072236.2
申请日：2018-11-15
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 电路形成于基板上，具备具有互相共通的功能的多个构成部位，所述多个构成部位分别具有示出对水分的响应性的检测部位，所述对水分的响应性在所述多个构成部位之间不同，通过各检测部位的对水分的响应的有无与二值的数字信号相对应，从而输出二值的数字信号串。
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公开(公告)号：CN114303238A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202080059950.5
申请日：2020-09-03
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 本发明的一个实施方式的半导体装置用基板具有树脂基材、在该树脂基材上具备的多个半导体装置和以包围这些多个半导体装置的方式被设置的增强线。上述增强线由与构成这些多个半导体装置中包含的电极层中的至少一者的材料相同的材料构成。这些多个半导体装置中的一个以上被上述增强线包围着的区域在该树脂基材上存在多个。由这样的半导体装置用基板能够获得无线通信装置等多种半导体装置。
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公开(公告)号：CN109196636A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780032299.0
申请日：2017-05-29
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/8246 , H01L27/10 , H01L27/112 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明的一个方式的存储器阵列在基板上具备多条第一布线、与上述多条第一布线交叉的至少一条第二布线、对应于上述多条第一布线与第二布线的交点而设置的多个存储器元件。上述多个存储器元件能够分别记录不同的信息。另外，本发明的一个方式的存储器阵列片材在片材上具有多个上述存储器阵列。这样的存储器阵列或从存储器阵列片材切分而形成的存储器阵列可用于无线通信装置。
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公开(公告)号：CN111492233B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201880072236.2
申请日：2018-11-15
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 电路形成于基板上，具备具有互相共通的功能的多个构成部位，所述多个构成部位分别具有示出对水分的响应性的检测部位，所述对水分的响应性在所述多个构成部位之间不同，通过各检测部位的对水分的响应的有无与二值的数字信号相对应，从而输出二值的数字信号串。
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公开(公告)号：CN108292630B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201680068078.4
申请日：2016-11-21
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H10B53/00 , G03F7/004 , G03F7/038 , H01B1/22 , H01B5/16 , H01L21/288 , H01L27/105 , H10K19/00 , H01L29/786 , H10K10/00
Abstract: 提供驱动电压低、可通过涂布而形成的铁电体存储元件。至少具备第一导电膜、第二导电膜、和设置于所述第一导电膜与所述第二导电膜之间的铁电体层的铁电体存储元件，其中，所述铁电体层含有铁电体粒子及有机成分，并且，所述铁电体粒子的平均粒径为30～500nm。
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公开(公告)号：CN111094957A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880058563.2
申请日：2018-08-29
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 无线通信设备具备电路部和天线，所述天线连接于所述电路部，并以非接触方式与收发装置进行信号的收发，所述无线通信设备根据所述电路部的至少一部分是否与水分有接触而将不同的信号发送给所述收发装置。
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公开(公告)号：CN109196636B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201780032299.0
申请日：2017-05-29
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/8246 , H01L27/10 , H01L27/112 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明的一个方式的存储器阵列在基板上具备多条第一布线、与上述多条第一布线交叉的至少一条第二布线、对应于上述多条第一布线与第二布线的交点而设置的多个存储器元件。上述多个存储器元件能够分别记录不同的信息。另外，本发明的一个方式的存储器阵列片材在片材上具有多个上述存储器阵列。这样的存储器阵列或从存储器阵列片材切分而形成的存储器阵列可用于无线通信装置。
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公开(公告)号：CN109716491B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201780056286.7
申请日：2017-09-06
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H10K10/46 , H10K77/10 , H10K71/60 , H10K71/12 , H10K10/82 , H10K85/20
Abstract: 能够提供场效应晶体管的制造方法，其包括下述工序：在基板的表面上形成栅电极的工序；在所述栅电极上形成栅极绝缘层的工序；在所述栅极绝缘层上利用涂布法形成含有导电体和感光性有机成分的导电膜的工序；从所述基板的背面侧以所述栅电极作为掩模对所述导电膜进行曝光的工序；将曝光后的导电膜显影而形成源电极及漏电极的工序；在所述源电极和所述漏电极之间利用涂布法形成半导体层的工序，由此能够提供可通过简便的工艺制作的、迁移率高、栅电极与源电极·漏电极可进行高精度的对位的FET、半导体器件、RFID。
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