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公开(公告)号：CN1200562A
公开(公告)日：1998-12-02
申请号：CN97125554.7
申请日：1997-12-15
Applicant: 三菱电机株式会社 , 菱电半导体系统工程株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/67034
Abstract: 本发明的目的是抑制处理对象的干燥不良现象。向喷嘴34提供IPA液,IPA液通过流出孔35流出而形成IPA液的流体29。流体29以膜状的形式沿处理槽11侧壁的内侧表面流下,之后,通过在处理槽11下部形成的液体接收部36排向外部。由于处理槽11侧壁的内侧表面被IPA液的流体29覆盖,所以,抑制了IPA蒸汽在该内侧表面上无用的凝结。因此,可有效利用IPA蒸汽在置于接受器皿6上的处理对象表面凝结,从而抑制处理对象的干燥不良。
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公开(公告)号：CN1200563A
公开(公告)日：1998-12-02
申请号：CN98104249.X
申请日：1998-01-16
Applicant: 菱电半导体系统工程株式会社 , 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/304 , F26B19/00
CPC classification number: H01L21/67034
Abstract: 将氮气供给喷嘴34,产生通过喷气孔35喷出的氮气的喷射气流36。喷射气流36呈膜状,沿处理槽11的侧壁的内侧表面上升,然后通过在处理槽11的上部形成的吸气口33,到达外部被收回。由于处理槽11的侧壁的内侧表面被喷射气流36覆盖,所以能抑制IPA蒸汽在该内侧表面上的无用的冷凝。其结果,IPA蒸汽能被有效地用于放置在托盘6上的处理对象表面上的冷凝,所以能抑制处理对象的干燥不良。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1195763A
公开(公告)日：1998-10-14
申请号：CN97123190.7
申请日：1997-11-24
Applicant: 菱电半导体系统工程株式会社 , 三菱电机株式会社
IPC: F26B11/00
CPC classification number: H01L21/67034
Abstract: 本发明的目的是使IPA蒸汽的状态稳定,缓解甚至消除干燥不良现象。在设于处理槽(11)上方的开口部(22)两侧相对设置喷嘴(13)以及排气件(14)。处理槽(11)的侧壁随着从下方附近接近开口部(22)而向内侧圆滑弯曲。喷嘴(13)将氮气供给装置提供的氮气喷向排气件(14)的排气口,并形成覆盖开口部(22)的喷流(21)。由于处理槽(11)的侧壁弯曲,喷流(21)可有效发挥屏障的功能。所以,不再需要传统装置上必需的冷却蛇形管。因此,消除了因冷却蛇形管而引起的IPA蒸汽(5)状态的不稳定性。
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公开(公告)号：CN1099128C
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN97114518.0
申请日：1997-07-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/02 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B3/12 , H01L21/67051 , H01L21/67057 , Y10S134/902
Abstract: 提供一种在提高半导体材料的清洗装置的处理效率的同时，不产生水迹等问题的半导体材料的清洗装置。该装置备有：通过处理用化学液体和纯水的喷射来清洗半导体材料的装置；将其他处理用化学液体注入处理室内，使所述半导体材料浸泡于其中来进行处理的装置；在所述处理室中使干燥用的化学液体或蒸汽与浸泡半导体材料的处理用的化学液体或纯水接触，一边用界面层进行隔开一边排出处理用的化学液体或纯水的装置。
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公开(公告)号：CN1214535A
公开(公告)日：1999-04-21
申请号：CN98114795.X
申请日：1998-06-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02052 , C01B13/10 , C02F1/32 , C02F1/78 , H01L21/67057 , H01L21/6708 , Y10S134/902
Abstract: 提供一种在半导体基片的湿法洗涤和腐蚀工艺中,可以防止基片表面变粗糙并能提高产品合格率的处理系统。该半导体基片处理系统包括以下装置:臭氧发生装置11、使该臭氧溶解于半导体基片处理用药液或纯水中的喷射器10、对溶解了臭氧的药液或纯水照射紫外线以控制药液或纯水中的臭氧浓度的紫外线照射装置9、以及用臭氧浓度受到控制的药液或纯水对半导体基进行处理的处理槽5。
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公开(公告)号：CN1219757A
公开(公告)日：1999-06-16
申请号：CN98116229.0
申请日：1998-08-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67276 , H01L21/67028
Abstract: 在多槽型的批量/浸渍式的半导体衬底处理装置中,迅速地或瞬时地检测出衬底的缺陷和破损的故障。另外,通过对于后续的批量设置联锁,防止对于后续批量的二次损害。在装载器、多个处理槽以及卸载器上分别具备半导体衬底的片数计数器,当发现了衬底的缺陷时发出警报。还具备下述联锁功能:停止发现了缺陷的处理槽的处理,在下流一侧的处理槽中继续进行处理,但阻止向装载器的批量投入,使在上流一侧的处理槽中完成了处理中的药液处理以后停止处理。
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公开(公告)号：CN1182281A
公开(公告)日：1998-05-20
申请号：CN97114518.0
申请日：1997-07-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/02 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B3/12 , H01L21/67051 , H01L21/67057 , Y10S134/902
Abstract: 提供一种在提高半导体材料的清洗装置的处理效率的同时,不产生水迹等问题的半导体材料的清洗装置。该装置备有:通过处理用化学液体和纯水的喷射来清洗半导体材料的装置;将其他处理用化学液体注入处理室内,使所述半导体材料浸泡于其中来进行处理的装置;在所述处理室中使干燥用的化学液体或蒸汽与浸泡半导体材料的处理用的化学液体或纯水接触,一边用界面层进行隔开一边排出处理用的化学液体或纯水的装置。
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