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公开(公告)号：CN104113287A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410149400.9
申请日：2014-04-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/3205 , H03F1/223 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F2200/105 , H03F2200/108 , H03F2200/192 , H03F2200/195 , H03F2200/204 , H03F2200/207 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/405 , H03F2200/408 , H03F2200/411 , H03F2200/465
Abstract: 本发明目的在于得到一种在不使无效电流等其他特性变化的情况下就能够调整AM-AM特性的功率放大器。分别向偏压端子(T1、T2）供给偏压。晶体管（M1）的栅极与偏压端子（T1）连接，源极接地。晶体管（M2）的栅极与偏压端子（T2）连接，源极与晶体管（M1）的漏极连接。固定电容器（C1）和可变电阻（Rv1）串联连接在晶体管（M2）的栅极和接地点之间。
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公开(公告)号：CN107026623B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201710024873.X
申请日：2017-01-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到即使在多个FET单元并联连接的情况下也能抑制热失控的功率放大器。多个FET单元(3a、3b、3c)相互并联连接。电阻(4a、4b、4c)各自对应地连接于FET单元(3a、3b、3c)的栅极端子和接地端子间。电阻(5a、5b、5c)一端与FET单元(3a、3b、3c)的栅极端子分别连接，另一端相互连接。电容(6a、6b、6c)与电阻(5a、5b、5c)分别并联连接。电阻(7)连接于电阻(5a、5b、5c)的另一端的连接点和电源端子(8)之间。电阻(4a、4b、4c)具有比电阻(5a、5b、5c)及电阻(7)大的电阻温度系数，配置为比电阻(7)更接近所对应的FET单元(3a、3b、3c)。
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公开(公告)号：CN107026623A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710024873.X
申请日：2017-01-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到即使在多个FET单元并联连接的情况下也能抑制热失控的功率放大器。多个FET单元(3a、3b、3c)相互并联连接。电阻(4a、4b、4c)各自对应地连接于FET单元(3a、3b、3c)的栅极端子和接地端子间。电阻(5a、5b、5c)一端与FET单元(3a、3b、3c)的栅极端子分别连接，另一端相互连接。电容(6a、6b、6c)与电阻(5a、5b、5c)分别并联连接。电阻(7)连接于电阻(5a、5b、5c)的另一端的连接点和电源端子(8)之间。电阻(4a、4b、4c)具有比电阻(5a、5b、5c)及电阻(7)大的电阻温度系数，配置为比电阻(7)更接近所对应的FET单元(3a、3b、3c)。
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公开(公告)号：CN104113287B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201410149400.9
申请日：2014-04-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/3205 , H03F1/223 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F2200/105 , H03F2200/108 , H03F2200/192 , H03F2200/195 , H03F2200/204 , H03F2200/207 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/405 , H03F2200/408 , H03F2200/411 , H03F2200/465
Abstract: 本发明目的在于得到一种在不使无效电流等其他特性变化的情况下就能够调整AM‑AM特性的功率放大器。分别向偏压端子(T1、T2）供给偏压。晶体管（M1）的栅极与偏压端子（T1）连接，源极接地。晶体管（M2）的栅极与偏压端子（T2）连接，源极与晶体管（M1）的漏极连接。固定电容器（C1）和可变电阻（Rv1）串联连接在晶体管（M2）的栅极和接地点之间。
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