公开(公告)号：CN109362238A

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201780024559.X

申请日：2017-05-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 绵引达郎 ,  小林裕美子

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 层叠结构(ST)具有在半导体基板(100)上交替设置的多个隧道氧化物层(104)和多个结晶系薄膜半导体层(106)。多个隧道氧化物层(104)包含在半导体基板(100)上依次配置的第1至第n隧道氧化物层(104a～104f)。第1隧道氧化物层(104a)与半导体基板(100)抵接，并且对于半导体基板(100)的少数载流子具有势垒。多个结晶系薄膜半导体层(106)的各个层具有第1导电型。多个结晶系薄膜半导体层(106)包含在半导体基板(100)上依次配置的第1至第n结晶系薄膜半导体层(106a～106f)。多个结晶系薄膜半导体层(106)的各个层在50％以上的厚度范围中具有1原子％以下的平均氢含量，并且具有50％以上的结晶率。

公开(公告)号：CN109075216A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201680082746.9

申请日：2016-12-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小林裕美子 ,  绵引达郎 ,  森冈孝之

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 本申请说明书中所公开的技术涉及具备烧成电极、且能够抑制由烧成引起的损伤的技术。与本技术有关的太阳能电池具备：在半导体基板(100)上形成的隧道氧化物层(104)、在隧道氧化物层(104)上形成的第1导电型的半导体层(106)、在半导体层(106)上形成的保护膜(107)、和从保护膜(107)上将保护膜(107)贯通且与半导体层(106)接触而形成的电极(111)，电极(111)为含有玻璃粒子的烧成电极。

公开(公告)号：CN119384879A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202280097139.5

申请日：2022-06-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小林裕美子 ,  绵引达郎

IPC: H10D30/47 ,  H10D30/87 ,  H10D30/01

Abstract: 半导体装置（90）依次包括：第1至第3沟道层（41~43），由含有Fe以及C的III‑V族半导体构成；以及势垒层（50），由具有比第3沟道层（43）的带隙宽的带隙的III‑V族半导体构成。浓度分布满足下述的条件：a）第2沟道层（42）以及第3沟道层（43）中的Fe浓度朝向势垒层（50）逐渐减少；b）第3沟道层（43）中的C浓度的最大值高于第2沟道层（42）中的C浓度的平均值；以及c）第3沟道层（43）中的C浓度的最大值低于第1沟道层（41）中的Fe浓度与C浓度之和的最大值。