电光显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1881593A

    公开(公告)日:2006-12-20

    申请号:CN200610073326.2

    申请日:2006-03-28

    Abstract: 本发明提供简化TFT结构部的制造工序,同时不限定源/漏电极材质,并准确控制成为TFT沟道部的半导体层膜厚,并防止显示不匀的电光显示装置。漏电极(26)配置成从活性区层(AR)上开始延伸至像素电极(30)下方的透明绝缘性衬底(1)上方。源电极(24)及源极布线(25)配置成使其端面位于相对半导体膜(6)任意端面均退后的位置,活性区层(AR)上的漏电极(26)端面也配置成位于相对半导体膜(6)的具有大致平行关系的端面退后的位置。

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