半导体装置及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112382576A

    公开(公告)日:2021-02-19

    申请号:CN202011244380.5

    申请日:2017-05-26

    Abstract: 目的是针对电极端子向半导体元件上表面所朝方向延伸的半导体装置,从单一引线框架集中高效地制造多个半导体装置。引线框架(2)具有:以带状排列的多个电路图案,具有芯片焊盘(2b)和设于芯片焊盘周围的电极端子部(2a);连结杆(2c);框部;及悬挂引线(2d),在引线框架处将半导体元件接合至芯片焊盘,分别将多个电极端子的端部和框部的连接部分、电路图案排列方向两端部处的框部和连结杆的连接部分、各电路图案间的框部的从与连结杆连接的部位至在排列方向延伸的框部的部位之间的连接部分切断,将电极端子部(2a)的端部弯折为向半导体元件上表面方向延伸,使电极端子部的比连结杆位于上方的部位及连结杆露出并将引线框架集中地树脂封装。

    半导体装置
    3.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN109983571A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201680090921.9

    申请日:2016-11-21

    Abstract: 目的在于提供减少残留在接合材料内部的孔洞,可靠性高的半导体装置。半导体装置具备半导体芯片(1)、绝缘基板(3)、金属基座板(4)、树脂部(6)以及凸块(10)。半导体芯片(1)具有凹形状的翘曲。在绝缘基板(3)通过接合而搭载有半导体芯片(1)。在金属基座板(4)安装有绝缘基板(3),且金属基座板(4)具有散热性。树脂部(6)将绝缘基板(3)及半导体芯片(1)进行封装。凸块(10)配置于半导体芯片(1)和绝缘基板(3)之间的接合部。半导体芯片(1)的凹形状的翘曲量为大于或等于1μm且小于所述凸块的高度。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN107437509B

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN201710385329.8

    申请日:2017-05-26

    Abstract: 目的是针对电极端子向半导体元件上表面所朝方向延伸的半导体装置,从单一引线框架集中高效地制造多个半导体装置。引线框架(2)具有:以带状排列的多个电路图案,具有芯片焊盘(2b)和设于芯片焊盘周围的电极端子部(2a);连结杆(2c);框部;及悬挂引线(2d),在引线框架处将半导体元件接合至芯片焊盘,分别将多个电极端子的端部和框部的连接部分、电路图案排列方向两端部处的框部和连结杆的连接部分、各电路图案间的框部的从与连结杆连接的部位至在排列方向延伸的框部的部位之间的连接部分切断,将电极端子部(2a)的端部弯折为向半导体元件上表面方向延伸,使电极端子部的比连结杆位于上方的部位及连结杆露出并将引线框架集中地树脂封装。

    功率半导体装置及功率半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN111066142A

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201780094087.5

    申请日:2017-08-25

    Abstract: 本发明的目的在于,对于功率半导体装置,抑制封装树脂的裂纹和半导体装置的翘曲。本发明的功率半导体装置具有:半导体元件(4、6);端子(9),其与所述半导体元件(4、6)的上表面接合;框体(14),其将半导体元件(4、6)以及端子(9)收容;以及封装树脂,其在框体(14)内将半导体元件(4、6)以及端子(9)封装,封装树脂具有:第1封装树脂(21),其至少将半导体元件(4、6)覆盖;以及第2封装树脂(22),其形成于第1封装树脂(21)的上方,在半导体元件(4、6)的工作温度下,第1封装树脂(21)与第2封装树脂(22)相比线膨胀系数小,第1封装树脂(21)与端子(9)之间的线膨胀系数之差比第2封装树脂(22)与端子(9)之间的线膨胀系数之差小。

    功率半导体装置及功率半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN111066142B

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN201780094087.5

    申请日:2017-08-25

    Abstract: 本发明的目的在于,对于功率半导体装置,抑制封装树脂的裂纹和半导体装置的翘曲。本发明的功率半导体装置具有:半导体元件(4、6);端子(9),其与所述半导体元件(4、6)的上表面接合;框体(14),其将半导体元件(4、6)以及端子(9)收容;以及封装树脂,其在框体(14)内将半导体元件(4、6)以及端子(9)封装,封装树脂具有:第1封装树脂(21),其至少将半导体元件(4、6)覆盖;以及第2封装树脂(22),其形成于第1封装树脂(21)的上方,在半导体元件(4、6)的工作温度下,第1封装树脂(21)与第2封装树脂(22)相比线膨胀系数小,第1封装树脂(21)与端子(9)之间的线膨胀系数之差比第2封装树脂(22)与端子(9)之间的线膨胀系数之差小。

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