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公开(公告)号：CN107148677A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201580062722.2
申请日：2015-11-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/02168 , H01L31/0224 , H01L31/022425 , H01L31/02366 , H01L31/03125 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳能电池的制造方法及太阳能电池。所述制造方法包括：第1工序：在第1导电型的半导体基板的一面形成将第2导电型的杂质以第1浓度扩散的第1掺杂层及将第2导电型的杂质以比第1浓度低的第2浓度扩散且表面粗糙度与第1掺杂层不同的第2掺杂层；及在第1掺杂层形成与第1掺杂层电连接的金属电极第2工序。在第2工序中，基于由于第1掺杂层与第2掺杂层的表面粗糙度的差而产生的第1掺杂层与第2掺杂层中的光反射率的差来检测第1掺杂层的位置，依据检测的第1掺杂层的位置来形成金属电极。
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公开(公告)号：CN110447092A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201780087013.9
申请日：2017-11-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/336 , C23C14/08 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/363 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10 , H05B33/26
Abstract: 目的在于提供一种能够抑制有害的波长的光到达活性层的技术。薄膜晶体管基板具备：活性层(5)，配置于栅极绝缘膜(2)上，在俯视时与栅电极(3)重叠，包含氧化物半导体；源电极(4)及漏电极(6)，与活性层(5)分别连接；保护绝缘膜(8)，配置于活性层(1)、源电极(4)及漏电极(6)上；以及像素电极(7)，配置于包括栅极绝缘膜(2)或者栅极绝缘膜(2)及保护绝缘膜(8)的绝缘膜上且吸收层(1)上方，与漏电极(6)连接。
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公开(公告)号：CN102612755A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201080051932.9
申请日：2010-04-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/035272 , H01L31/0463 , Y02E10/50
Abstract: 一种薄膜太阳能电池(1)，在基板之上包括由透明导电性材料构成的第一电极层、光电转换层以及反射光的包含导电性材料的第二电极层，具有多个通过划线道(2)分割为多个的单位太阳能电池单元(3)，在形成于光电转换层的划线道(2)内，第二电极层与相邻的单位太阳能电池单元(3)的第一电极层相连接，从而多个单位太阳能电池单元(3)电串联连接，至少一个单位太阳能电池单元(3)的两侧的划线道(2)形成为夹在划线道(2)间的单位太阳能电池单元(3)在规定方向上具有固定的宽度来蛇行，并且具有在沿规定方向平行移动的情况下重合的同一形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102473748A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029500.8
申请日：2010-04-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/02366 , H01L31/035281 , H01L31/0392 , H01L31/0543 , H01L31/056 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 具备：透光性绝缘基板(1)；第1透明导电膜(2)，通过准晶质的透明导电膜形成在所述透光性绝缘基板(1)上，在表面具有凹凸构造；第2透明导电膜(3)，通过透明导电膜形成在所述第1透明导电膜(2)上，在表面具有比所述第1透明导电膜(2)的凹凸构造缓和的凹凸构造；发电层(5)，形成在所述第2透明导电膜(3)上，至少具有一层准晶质层而进行发电；以及背面电极层(6)，通过反射光的导电膜形成在所述发电层(5)上，在所述第1透明导电膜(2)的凹凸构造中的相邻的凸部(2a)之间，具有从所述透光性绝缘基板(1)向所述发电层(5)方向突出的大致凸状的空洞部(4)。
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公开(公告)号：CN110462802A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201780089090.8
申请日：2017-11-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L29/786
Abstract: 本发明的目的在于提供抑制LED等的入射光入射到半导体沟道层的光强度、光量的构造的薄膜晶体管基板。而且，作为本发明的TFT基板(100)具有遮光膜(50A)，该遮光膜(50A)在漏极电极(8)的下方，在与漏极电极(7)在俯视时重叠的区域，与共同电极(5)邻接而连续地设置。TFT基板(100)还具有遮光膜(50B)，该遮光膜(50B)在源极电极(8)的下方，设置于源极电极(8)与共同电极(5)在俯视时重叠的区域。除此之外，TFT基板(100)在栅极端子部(30)，在栅极电极(2)的上方具备具有导电性的遮光膜(50C)。遮光膜(50C)电连接于栅极电极(2)，且在俯视时与栅极电极(2)重叠。
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公开(公告)号：CN107148677B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201580062722.2
申请日：2015-11-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本发明涉及太阳能电池的制造方法及太阳能电池。所述制造方法包括：第1工序：在第1导电型的半导体基板的一面形成将第2导电型的杂质以第1浓度扩散的第1掺杂层及将第2导电型的杂质以比第1浓度低的第2浓度扩散且表面粗糙度与第1掺杂层不同的第2掺杂层；及在第1掺杂层形成与第1掺杂层电连接的金属电极第2工序。在第2工序中，基于由于第1掺杂层与第2掺杂层的表面粗糙度的差而产生的第1掺杂层与第2掺杂层中的光反射率的差来检测第1掺杂层的位置，依据检测的第1掺杂层的位置来形成金属电极。
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公开(公告)号：CN102612755B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201080051932.9
申请日：2010-04-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035272 , H01L31/0463 , Y02E10/50
Abstract: 一种薄膜太阳能电池(1)，在基板之上包括由透明导电性材料构成的第一电极层、光电转换层以及反射光的包含导电性材料的第二电极层，具有多个通过划线道(2)分割为多个的单位太阳能电池单元(3)，在形成于光电转换层的划线道(2)内，第二电极层与相邻的单位太阳能电池单元(3)的第一电极层相连接，从而多个单位太阳能电池单元(3)电串联连接，至少一个单位太阳能电池单元(3)的两侧的划线道(2)形成为夹在划线道(2)间的单位太阳能电池单元(3)在规定方向上具有固定的宽度来蛇行，并且具有在沿规定方向平行移动的情况下重合的同一形状。
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公开(公告)号：CN102473748B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201080029500.8
申请日：2010-04-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/075 , H01L31/054
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/02366 , H01L31/035281 , H01L31/0392 , H01L31/0543 , H01L31/056 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 具备：透光性绝缘基板(1)；第1透明导电膜(2)，通过准晶质的透明导电膜形成在所述透光性绝缘基板(1)上，在表面具有凹凸构造；第2透明导电膜(3)，通过透明导电膜形成在所述第1透明导电膜(2)上，在表面具有比所述第1透明导电膜(2)的凹凸构造缓和的凹凸构造；发电层(5)，形成在所述第2透明导电膜(3)上，至少具有一层准晶质层而进行发电；以及背面电极层(6)，通过反射光的导电膜形成在所述发电层(5)上，在所述第1透明导电膜(2)的凹凸构造中的相邻的凸部(2a)之间，具有从所述透光性绝缘基板(1)向所述发电层(5)方向突出的大致凸状的空洞部(4)。
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