公开(公告)号：CN114762093A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080083528.3

申请日：2020-12-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川添智香 ,  藤野纯司 ,  北川达哉 ,  村田大辅 ,  梶勇辅

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/28 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 在陶瓷基板(5)搭载半导体元件(19)。将搭载了半导体元件(19)的陶瓷基板(5)收容在壳体(13)内。使硅烷偶联剂的溶液流入壳体(13)内。除去壳体(13)内的溶液。对在使溶液流入壳体(13)内的工序中附着于半导体元件(19)等的溶液施加处理，从而在半导体元件(19)等的表面形成底涂剂层(35)。通过在壳体(13)内填充密封材料(37)，对形成有底涂剂层(35)的半导体元件(19)等进行密封。

公开(公告)号：CN118715082A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202380021100.X

申请日：2023-02-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 北川达哉

IPC: B23K26/352 ,  B29C65/44

Abstract: 本公开的接合体具备如下特征：具备金属构件、和与金属构件接合的树脂构件，金属构件在与树脂构件的接合面具有树状结构部，树状结构部的至少一部分的直径为纳米级，树脂构件浸渍于树状结构部。由此，能够充分地确保在金属构件形成的纳米级的树状结构部与树脂构件的接触面积，因此能够得到金属构件与树脂构件牢固地接合的接合体。

公开(公告)号：CN114944373A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202210104482.X

申请日：2022-01-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 北川达哉 ,  上垣慎 ,  秋吉雅夫 ,  樽谷公昭 ,  吉井大 ,  多田和弘

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/00 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明能够得到一种抑制焊料浸润从而避免形成复合点的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：半导体元件，该半导体元件具有形成为板状的主体部、设置在主体部的一个面上的外周部的保护膜、及与主体部的一个面上的保护膜的内侧相邻设置的金属薄膜；金属构件，该金属构件通过焊料接合在与主体部相反侧的金属薄膜的面上；以及模塑树脂，该模塑树脂将半导体元件和金属构件密封，在与主体部相反侧的金属薄膜的面上的外周部的至少一部分具有从金属薄膜的面突出的突起部，在突起部的顶部的外周侧没有设置焊料。

公开(公告)号：CN116897102A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202180095236.6

申请日：2021-03-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 北川达哉

IPC: B29C65/02

Abstract: 异种材料接合体的制造方法包括：涂布工序，在包含金属或玻璃的无机材料的基材(101)的表面涂布偶联剂溶液(201)；照射工序，在涂布有偶联剂溶液(201)的基材(101)的面，将激光依次改变位置进行照射，以形成基材(101)和偶联剂溶液(201)中的偶联剂分子(202)经由共价键结合的结合层(203)；清洗工序，清洗没有与基材(101)共价结合的偶联剂溶液(201)；和树脂接合工序，将结合层(203)与树脂(301)接合。