公开(公告)号：CN118946776A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202280094325.3

申请日：2022-04-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上垣慎 ,  梶山佳敬

IPC: G01B7/00 ,  G01D5/241 ,  H02K33/00

Abstract: 位移探测装置(1)具有：绝缘基板(11)；石墨烯块(12)，固定于绝缘基板(11)的面积最大的面且层状地层叠有由单层的石墨烯构成的石墨烯片材；以及导体的电极(13)，设置于绝缘基板(11)的上述面。绝缘基板(11)的上述面与包含于石墨烯块(12)的多个石墨烯片材各自的基底面平行。石墨烯块(12)包括在施加了具有与基底面平行的分量的力的情况下在与基底面平行的方向上产生滑动而移动的、由一个或者多个石墨烯片材构成的石墨烯小片(14)。电极(13)被设置成由电极(13)和石墨烯小片(14)构成的电容器的静电电容与石墨烯小片(14)的移动量对应地变化。

公开(公告)号：CN117178125A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202180097315.0

申请日：2021-04-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上垣慎

IPC: F16F1/18

Abstract: 弹簧元件(10)具备：弹簧部(11)，其具有多个板状的板簧(11a)；以及板状的支承部(12)和负载部(13)，其与板簧(11a)的第一方向的两端连接。板簧(11)通过多个片状构件在厚度方向上层叠而构成。多个片状构件彼此通过分子间作用力键合。

公开(公告)号：CN114944373A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202210104482.X

申请日：2022-01-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 北川达哉 ,  上垣慎 ,  秋吉雅夫 ,  樽谷公昭 ,  吉井大 ,  多田和弘

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/00 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明能够得到一种抑制焊料浸润从而避免形成复合点的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：半导体元件，该半导体元件具有形成为板状的主体部、设置在主体部的一个面上的外周部的保护膜、及与主体部的一个面上的保护膜的内侧相邻设置的金属薄膜；金属构件，该金属构件通过焊料接合在与主体部相反侧的金属薄膜的面上；以及模塑树脂，该模塑树脂将半导体元件和金属构件密封，在与主体部相反侧的金属薄膜的面上的外周部的至少一部分具有从金属薄膜的面突出的突起部，在突起部的顶部的外周侧没有设置焊料。