公开(公告)号：CN118248727A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311729826.7

申请日：2023-12-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 伊东笃史 ,  吉野学 ,  今坂俊博 ,  附田正则

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 涉及半导体装置、半导体电路及半导体装置的控制方法。目的在于提供能够降低半导体装置的接通电阻的技术。半导体装置具有：第1导电部，其隔着第1绝缘膜而设置于第2半导体层的一部分之上；第2导电部，其隔着第2绝缘膜而设置于第3半导体层的一部分之上；第1主电极；以及第2主电极。在向第1导电部及第2导电部的一者输入了接通控制信号的情况下，第1主电极与第2主电极之间通过双极动作而导通，在向第1导电部及第2导电部这两者输入了接通控制信号的情况下，第1主电极与第2主电极之间通过单极动作而导通。

公开(公告)号：CN120072806A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202411679678.7

申请日：2024-11-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 蔀拓一郎 ,  吉野学 ,  山口靖雄 ,  今坂俊博 ,  伊东笃史

IPC: H01L23/64

Abstract: 本公开的目的在于在具有绝缘型的信号传输元件的半导体装置中抑制芯片尺寸的增加及工艺成本的上升。半导体装置(1010)在俯视观察时被划分为以接地电位为基准电位的低电位区域(1)、以浮动电位为基准电位的高电位区域(2)以及设置在低电位区域与高电位区域之间并将两者分离的高耐压分离区域(3)。半导体装置具备设置在高耐压分离区域的元件构造(21)之上的信号传输元件。信号传输元件具备：初级线圈(18)，设置在高耐压分离区域的低电位区域侧并与低电位区域连接；和次级线圈(19)，设置在高耐压分离区域的高电位区域侧并与高电位区域连接。初级线圈和次级线圈通过与P型基板(4)的主面平行的方向的磁场而相互磁耦合。

公开(公告)号：CN118610170A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410228287.7

申请日：2024-02-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 鸟井阳平 ,  吉野学 ,  山口靖雄 ,  今坂俊博 ,  伊东笃史

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/64 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开的目的在于提供能够容易地形成上部元件和用于对作为上部元件的一端部的电极焊盘缓和引线结合的冲击的构造的技术。半导体装置(100)具备：基板(1)、耐压保持用绝缘膜(4)、具有下部元件(3)以及上部元件(5)的元件部、引出布线(7)、第1电极焊盘(8)、作为上部元件的一端部的第2电极焊盘(10)、以及以使得第2电极焊盘从第2接触用孔(12)露出的方式覆盖上部元件的最上层保护膜(6)。耐压保持用绝缘膜(4)以及最上层保护膜在引出布线的延伸方向上设置至比第1电极焊盘(8)靠外侧的区域为止。在第2电极焊盘的上表面设置有具有导电性的焊盘二次堆叠部(13)。最上层保护膜覆盖焊盘二次堆叠部的周缘部。