公开(公告)号：CN102834547A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180007492.1

申请日：2011-01-28

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 安谷屋智幸 ,  冈部哲 ,  后藤敏之 ,  丸山岳人 ,  小林和树 ,  田中惠一 ,  中村涉 ,  纪藤贤一 ,  田中哲宪

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/067 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻方法。一种用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的蚀刻方法，该蚀刻液含有：(A)过氧化氢、(B)硝酸、(C)氟离子供给源、(D)唑类、(E)季铵氢氧化物和(F)过氧化氢稳定剂，且pH为1.5~2.5。

公开(公告)号：CN102834547B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201180007492.1

申请日：2011-01-28

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 安谷屋智幸 ,  冈部哲 ,  后藤敏之 ,  丸山岳人 ,  小林和树 ,  田中惠一 ,  中村涉 ,  纪藤贤一 ,  田中哲宪

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/067 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻方法。一种用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的蚀刻方法，该蚀刻液含有：(A)过氧化氢、(B)硝酸、(C)氟离子供给源、(D)唑类、(E)季铵氢氧化物和(F)过氧化氢稳定剂，且pH为1.5~2.5。

公开(公告)号：CN100516985C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200510074184.7

申请日：2005-02-25

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 冈部哲 ,  丸山岳人 ,  小仓雅史 ,  片冈义晴

IPC: G02F1/133 ,  C23F1/20 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343

CPC classification number: C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/13439

Abstract: 本发明的蚀刻组合物通过在单次蚀刻操作中单独对其进行使用能够同时蚀刻包括最上面的由IZO等制成的无定形透明电极膜、中间的由铝等制成的反射电极膜以及最下面的由钼等制成的防电化腐蚀膜的三层叠合膜，或者包括上面的无定形透明电极膜和下面的反射电极膜的两层叠合膜，以提供具有良好正锥形或阶梯形状的边缘的、经蚀刻的叠合膜。蚀刻组合物包括含有30至40wt%的磷酸、15至35wt%的硝酸、有机酸和阳离子产生成分的水溶液。

公开(公告)号：CN1716009A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510074184.7

申请日：2005-02-25

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 冈部哲 ,  丸山岳人 ,  小仓雅史 ,  片冈义晴

IPC: G02F1/133 ,  C23F1/20 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343

CPC classification number: C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/13439

Abstract: 本发明的蚀刻组合物通过在单次蚀刻操作中单独对其进行使用能够同时蚀刻包括最上面的由IZO等制成的无定形透明电极膜、中间的由铝等制成的反射电极膜以及最下面的由钼等制成的防电化腐蚀膜的三层叠合膜，或者包括上面的无定形透明电极膜和下面的反射电极膜的两层叠合膜，以提供具有良好正锥形或阶梯形状的边缘的、经蚀刻的叠合膜。蚀刻组合物包括含有30至40wt％的磷酸、15至35wt％的硝酸、有机酸和阳离子产生成分的水溶液。

公开(公告)号：CN102762770A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180009674.2

申请日：2011-02-15

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 冈部哲 ,  成田和代 ,  松原将英 ,  安谷屋智幸 ,  丸山岳人

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/30 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液以及使用了其的包含铜层及钼层的多层薄膜的蚀刻方法。一种包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液以及使用了其的蚀刻方法，所述蚀刻液的pH为2.5~5，包含（A）过氧化氢、（B）不含氟原子的无机酸、（C）有机酸、（D）碳原子数2~10且具有合计基团数为二以上的氨基和羟基的胺类化合物、（E）唑类以及（F）过氧化氢稳定剂。

公开(公告)号：CN116547411A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180081678.5

申请日：2021-12-06

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 冈部哲 ,  尾家俊行 ,  安谷屋智幸 ,  本望圭纮 ,  陈重伊 ,  王舶纮

IPC: C23F1/28

Abstract: 本发明涉及，在半导体基板的制造工艺中，用于对金属布线实施凹部蚀刻的凹部蚀刻液及使用它的凹部蚀刻方法。本发明的凹部蚀刻液用于对含钴金属层的表面实施凹部蚀刻，所述含钴金属层埋入在半导体基板上形成的通孔或沟槽内，所述凹部蚀刻液包含：(A)有机酸；(B)含氮杂环式化合物及(C)有机溶剂中的任一者或二者；和(D)水。另外，本发明的凹部蚀刻方法包括：凹部蚀刻工序，其使前述凹部蚀刻液与含钴金属层的表面接触，从而对前述含钴金属层的表面实施凹部蚀刻，所述含钴金属层埋入在半导体基板上形成的通孔或沟槽内。

公开(公告)号：CN103911159B

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201310713080.0

申请日：2013-12-20

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 竹内秀范 ,  夕部邦夫 ,  冈部哲 ,  臼井麻里

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及至少包含铟和镓的氧化物的蚀刻液以及蚀刻方法，其能够适用于包含铟、镓和氧的氧化物或者包含铟、镓、锌和氧的氧化物等至少包含铟和镓的氧化物的蚀刻中。根据本发明优选的方式，通过使用包含硫酸或其盐、以及羧酸(其中，除了草酸以外)或其盐的蚀刻液，在至少包含铟和镓的氧化物的蚀刻中，具有合适的蚀刻速率且残渣去除性也良好，对于布线材料的腐蚀性也小，进而即便蚀刻液中溶解的氧化物的浓度成为高浓度，也不产生析出物，并且能够维持合适的蚀刻速率。

公开(公告)号：CN103717787B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280037180.X

申请日：2012-07-25

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 冈部哲 ,  安谷屋智幸 ,  丸山岳人

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: C09K13/06 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/465 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻液，以及使用该蚀刻液选择性地蚀刻具备氧化物半导体层和铜/钼系多层薄膜的半导体装置中的铜/钼系多层薄膜的方法，所述蚀刻液能够从具备氧化物半导体层和铜/钼系多层薄膜的半导体装置选择性蚀刻铜/钼系多层薄膜，其特征在于，其包含（A）过氧化氢、（B）不含氟原子的无机酸、（C）有机酸、（D）碳数2～10且具有氨基以及选自氨基和羟基中的至少一种基团的胺化合物、（E）唑类、以及（F）过氧化氢稳定剂，该蚀刻液的pH为2.5～5。

公开(公告)号：CN103717787A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280037180.X

申请日：2012-07-25

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 冈部哲 ,  安谷屋智幸 ,  丸山岳人

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: C09K13/06 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/465 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻液，以及使用该蚀刻液选择性地蚀刻具备氧化物半导体层和铜/钼系多层薄膜的半导体装置中的铜/钼系多层薄膜的方法，所述蚀刻液能够从具备氧化物半导体层和铜/钼系多层薄膜的半导体装置选择性蚀刻铜/钼系多层薄膜，其特征在于，其包含（A）过氧化氢、（B）不含氟原子的无机酸、（C）有机酸、（D）碳数2～10且具有氨基以及选自氨基和羟基中的至少一种基团的胺化合物、（E）唑类、以及（F）过氧化氢稳定剂，该蚀刻液的pH为2.5～5。

公开(公告)号：CN103911159A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310713080.0

申请日：2013-12-20

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 竹内秀范 ,  夕部邦夫 ,  冈部哲 ,  臼井麻里

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及至少包含铟和镓的氧化物的蚀刻液以及蚀刻方法，其能够适用于包含铟、镓和氧的氧化物或者包含铟、镓、锌和氧的氧化物等至少包含铟和镓的氧化物的蚀刻中。根据本发明优选的方式，通过使用包含硫酸或其盐、以及羧酸(其中，除了草酸以外)或其盐的蚀刻液，在至少包含铟和镓的氧化物的蚀刻中，具有合适的蚀刻速率且残渣去除性也良好，对于布线材料的腐蚀性也小，进而即便蚀刻液中溶解的氧化物的浓度成为高浓度，也不产生析出物，并且能够维持合适的蚀刻速率。