公开(公告)号：CN106147604B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201510940597.2

申请日：2015-12-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李殷善 ,  金佑翰 ,  尹熙灿 ,  裴鎭希 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16 ,  C09D1/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中所述含硅聚合物在1H‑NMR光谱中具有小于或等于12的Si‑H积分值的总和。所述Si‑H积分值的所述和在说明书中描述的条件下计算。本发明的用于形成二氧化硅层的组成物能够减少在固化期间产生的出气的量，获得具有最小缺陷的二氧化硅层。

公开(公告)号：CN106147604A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510940597.2

申请日：2015-12-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李殷善 ,  金佑翰 ,  尹熙灿 ,  裴鎭希 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16 ,  C09D1/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: C09D183/16 ,  C08G77/62 ,  H01B3/46 ,  C09D1/00 ,  H01L21/02107

Abstract: 本发明涉及一种用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中所述含硅聚合物在1H-NMR光谱中具有小于或等于12的Si-H积分值的总和。所述Si-H积分值的所述和在说明书中描述的条件下计算。本发明的用于形成二氧化硅层的组成物能够减少在固化期间产生的出气的量，获得具有最小缺陷的二氧化硅层。