公开(公告)号：CN100587943C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200710140306.7

申请日：2007-08-09

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 黄义勋

IPC: H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1255

Abstract: 本发明提供了一种制造具有改进的可靠性的薄膜晶体管(TFT)阵列基底的方法。通过在形成TFT的栅电极之后执行用于离子注入的光刻工艺，根据本发明示例性实施例的制造TFT阵列基底的方法可通过TFT的栅电极来防止可移动离子从光致抗蚀剂移动到TFT的沟道，另外，通过由用于PMOS TFT的沟道掺杂工艺来形成存储电容器的下电极，根据本发明另一示例性实施例的制造TFT阵列基底的方法可以省略用于形成存储电容器的下电极的光刻工艺。

公开(公告)号：CN100511756C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200410095822.9

申请日：2004-11-26

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 金得钟 ,  黄义勋

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/08 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明公开一种平板显示器及其制造方法。所述平板显示器包括基底。信号线以阵列形式设置在所述基底上，由所述信号线的交叉设置所限定的单位像素区域具有像素驱动电路区域和发射区域。定位在所述像素驱动电路区域中的像素驱动TFT包括半导体层和对应于所述半导体层预定部分的栅极。所述栅极与所述信号线形成在相同的层中。电连接到所述像素驱动TFT的像素电极被定位在所述发射区域中。

公开(公告)号：CN100490170C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200510074768.4

申请日：2005-06-02

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 黄义勋

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H05B33/08 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/3276

Abstract: 本发明公开了一种有机发光器件及其制造方法，其中单位像素区的数据线、电源线、或者数据线和电源线形成于在绝缘层中形成的沟槽中。第一像素电极重叠所述沟槽。

公开(公告)号：CN1716532B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200510082115.0

申请日：2005-06-29

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 黄义勋 ,  金得钟

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  G09G3/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L21/32138 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04

Abstract: 在本发明提供了一种制备显示装置的方法。该方法包括提供具有像素区域和在像素区域外围的电路区域的基板。分别在像素区域和电路区域形成第一半导体层和第二半导体层。选择性地对第一半导体层进行表面处理以增加第一半导体层的表面晶格缺陷密度。

公开(公告)号：CN100521155C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200710141862.6

申请日：2007-08-14

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 黄义勋

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78621 ,  Y10S438/948

Abstract: 本发明提供了一种利用数量减少的掩模来制造互补金属氧化物半导体(CMOS)TFT的方法，该方法包括：在基底的整个表面上形成缓冲层；在具有缓冲层的基底的整个表面上形成多晶硅层和光致抗蚀剂层；将光致抗蚀剂层曝光并显影，以形成第一光致抗蚀剂图案；利用第一光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻多晶硅层，以将第一TFT的半导体层和第二TFT的半导体层图案化；对第一光致抗蚀剂图案执行第一灰化工艺，以形成第二光致抗蚀剂图案；利用第二光致抗蚀剂图案作为掩模向第二TFT的源极区和漏极区中注入第一杂质；对第二光致抗蚀剂图案执行第二灰化工艺，以形成第三光致抗蚀剂图案；利用第三光致抗蚀剂图案作为掩模向第二TFT中注入第二杂质，以对第二TFT执行沟道掺杂。

公开(公告)号：CN100481489C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200610125721.0

申请日：2006-06-22

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 黄义勋 ,  李相杰

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明提供一种有机发光显示装置(OLED)及其制造方法。在同时形成金属互连和栅极电极时或在形成第一电极时，形成用于电连接元件的互连。从而，能减少使用掩模的次数，从而缩短总体制造工艺且降低制造成本。

公开(公告)号：CN100552977C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200610073815.8

申请日：2006-03-30

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 黄义勋

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/32 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的平板显示装置及其制备方法。非均匀结构形成在对应于沟道区域的多晶硅层图案的部分，使得沟道区域的边缘的沟道长度长于主沟道长度，从而沟道区域的边缘的电阻增加以导致流经沟道区域的边缘的电流减小，由此提高低压驱动时电路的可靠性。

公开(公告)号：CN100499083C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610093263.7

申请日：2006-06-23

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 黄义勋 ,  李相杰

IPC: H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127

Abstract: 提供了TFT和采用所述TFT的OLED的制造方法。所述CMOS TFT的制造方法包括：制备具有第一和第二薄膜晶体管区域的基板；在所述基板上形成栅电极；在包括所述栅电极的所述基板的整个表面上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层的预定区域上利用掩模形成半导体层；利用所述栅电极对所述掩模的背部曝光；利用受到背部曝光的掩模向所述第一和第二薄膜晶体管区域的所述半导体层内注入n型杂质离子，形成沟道区以及源极区和漏极区；对所述背部曝光掩模的两侧进行灰化；利用所述灰化掩模向所述第一和第二薄膜晶体管区域的所述半导体层内注入低浓度杂质离子，形成LDD区；以及向所述第二薄膜晶体管区域的半导体层内注入p型杂质离子，形成源极区和漏极区。