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发明公开
半导体器件审中-实审

公开(公告)号：CN117174743A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310993280.X

申请日：2017-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东灿 , 卓容奭 , 朴起宽 , 朴美善 , 梁炆承 , 李承勋 , P·唐

IPC: H01L29/423 , H01L29/78

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一线图案、栅电极、半导体图案、栅绝缘层和第一间隔物。第一线图案在衬底上并与衬底分隔开。栅电极围绕第一线图案并交叉第一线图案。半导体图案在第一线图案的两侧。栅绝缘层设置在栅电极与第一线图案之间，并且栅绝缘层围绕第一线图案。第一间隔物在第一线图案与衬底之间，并且第一间隔物在栅绝缘层与半导体图案之间。半导体图案包括朝向栅电极凹陷并设置在第一间隔物上的第一部分以及设置在第一部分上并设置在第一线图案上的第二部分。

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