公开(公告)号：CN1441017A

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN03103408.X

申请日：2003-01-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在东 ,  尹普彦 ,  韩镛弼

IPC: C09G1/02

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明提供了用于化学机械抛光(CMP)的浆料，包括高平面性浆料和高选择比浆料。高平面性浆料含有至少一种金属氧化物研磨剂粒子和第一浓度的阴离子聚合物钝化剂。高选择比浆含有至少一种金属氧化物研磨剂粒子；第二浓度的钝化剂，钝化剂的第二浓度比高平面性浆中钝化剂的第一浓度低；季胺及其盐之一；和pH调节剂。高选择比浆的pH在约高于抛光目标层的等电点至约低于抛光停止层的等电点的范围内。另外，还提供了使用具有高平面性和高选择比CMP浆料的CMP方法。

公开(公告)号：CN1288722C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN03103408.X

申请日：2003-01-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在东 ,  尹普彦 ,  韩镛弼

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/302 ,  C09K3/14 ,  C09K13/00 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明提供了用于化学机械抛光(CMP)的浆料，包括高平面性浆料和高选择比浆料。高平面性浆料含有至少一种金属氧化物研磨剂粒子和第一浓度的阴离子聚合物钝化剂。高选择比浆含有至少一种金属氧化物研磨剂粒子；第二浓度的钝化剂，钝化剂的第二浓度比高平面性浆中钝化剂的第一浓度低；季胺及其盐之一；和pH调节剂。高选择比浆的pH在约高于抛光目标层的等电点至约低于抛光停止层的等电点的范围内。另外，还提供了使用具有高平面性和高选择比CMP浆料的CMP方法。