公开(公告)号：CN102217105B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN200980142209.9

申请日：2009-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔繁在 ,  金裕承 ,  李进馥

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2933/0016

Abstract: 提供了一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括顺序地堆叠的导电基底、第一电极层、绝缘层、第二电极层、第二半导体层、活性层和第一半导体层。第一电极层和第一半导体层之间的接触面积为半导体发光器件的总面积的3％至13％，因此实现了高发光效率。

公开(公告)号：CN103429001A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310179067.1

申请日：2013-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李视荣 ,  金泰亨 ,  金起范 ,  金裕承 ,  金周贤 ,  洪镇基

IPC: H05K3/00

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/76898 ,  H01L2933/0033

Abstract: 本发明提供了一种制造用于安装电子器件的衬底的方法。所述方法包括步骤：在所述衬底的除边缘部分之外的表面上布置保护层；在所述衬底的除布置了所述保护层之外的整个表面上布置氧化物膜；生长所述氧化物膜；通过选择性地刻蚀所述保护层来在所述衬底的厚度方向上形成通孔；以及去除所述氧化物膜。在所述制造方法中，可以减小用于安装电子器件的衬底中的缺陷，并且可以减小制造成本。

公开(公告)号：CN102217102B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN200980145944.5

申请日：2009-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔繁在 ,  李相范 ,  李进馥 ,  金裕承 ,  宋尚烨

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L25/13 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/002 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0029 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/507 ,  H01L33/508 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2933/0041 ,  H05B33/0803 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 在半导体发光器件中，发光结构包括顺序形成在导电基底上的第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。第二导电类型电极包括导电通孔和电连接部分。导电通孔穿过第一导电类型半导体层和活性层，并连接到第二导电类型半导体层的内部。电连接部分从导电通孔延伸，并暴露于发光结构的外部。绝缘体使第二导电类型半导体层与导电基底、第一导电类型半导体层和活性层电分离。钝化层形成为至少覆盖发光结构中的活性层的侧表面。不平坦结构形成在从活性层发射的光的通路上。

公开(公告)号：CN102244172B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201110124931.9

申请日：2011-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高炯德 ,  杨丁子 ,  金裕承 ,  成演准 ,  郑守珍 ,  金大天 ,  李秉权

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0091

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。半导体发光器件包括发光结构和图案。发光结构包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。图案形成在所述发光结构的表面中的至少一个光出射表面上。所述图案具有形状相似的多个凸起部件或凹进部件。上面形成有所述图案的所述光出射表面具有多个虚拟参考区域，参考区域尺寸相同并以规则的方式布置。凸起部件或凹进部件设置在参考区域中，使得凸起部件或凹进部件的边缘的一部分与所述多个虚拟参考区域中的一个虚拟参考区域的轮廓线接触。