公开(公告)号：CN104810402A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510034190.3

申请日：2015-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申宪宗 ,  金成玟 ,  金秉瑞 ,  朴善钦 ,  裵贤俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明构思提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：第一鳍区域；第二鳍区域；隔离绝缘层，使第一鳍区域与第二鳍区域隔离并具有岛形状；第一栅极，交叉第一鳍区域；第二栅极，交叉第二鳍区域；以及第三栅极，覆盖隔离绝缘层的侧壁和顶表面并交叉隔离绝缘层。

公开(公告)号：CN110224027A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910394282.0

申请日：2015-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申宪宗 ,  金成玟 ,  金秉瑞 ,  朴善钦 ,  裵贤俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明构思提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：第一鳍区域；第二鳍区域；隔离绝缘层，使第一鳍区域与第二鳍区域隔离并具有岛形状；第一栅极，交叉第一鳍区域；第二栅极，交叉第二鳍区域；以及第三栅极，覆盖隔离绝缘层的侧壁和顶表面并交叉隔离绝缘层。

公开(公告)号：CN110224027B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201910394282.0

申请日：2015-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申宪宗 ,  金成玟 ,  金秉瑞 ,  朴善钦 ,  裵贤俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明构思提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：第一鳍区域；第二鳍区域；隔离绝缘层，使第一鳍区域与第二鳍区域隔离并具有岛形状；第一栅极，交叉第一鳍区域；第二栅极，交叉第二鳍区域；以及第三栅极，覆盖隔离绝缘层的侧壁和顶表面并交叉隔离绝缘层。

公开(公告)号：CN101692443A

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200910130468.1

申请日：2009-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔敬世 ,  金秉瑞 ,  赵京淳 ,  周永宰 ,  郑礼贞 ,  李相熺 ,  孙大雨 ,  赵相贵 ,  河政圭 ,  赵暎相

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/14 ,  H01L23/28 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种薄膜覆晶型半导体封装及显示装置。薄膜覆晶型半导体封装显示了提高的散热效率，并且能够稳定地固定到电子设备上，且能够长时间使用。COF型半导体封装包括：柔性绝缘基底；半导体器件，设置在绝缘基底的顶表面上；散热部件，设置在绝缘基底的底表面上；粘结剂部件，用于附着绝缘基底的底表面和散热部件，其中，能够减轻外部施加的压力的压力吸收区域形成在绝缘基底的底表面和散热部件之间。

公开(公告)号：CN104810402B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201510034190.3

申请日：2015-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申宪宗 ,  金成玟 ,  金秉瑞 ,  朴善钦 ,  裵贤俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明构思提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：第一鳍区域；第二鳍区域；隔离绝缘层，使第一鳍区域与第二鳍区域隔离并具有岛形状；第一栅极，交叉第一鳍区域；第二栅极，交叉第二鳍区域；以及第三栅极，覆盖隔离绝缘层的侧壁和顶表面并交叉隔离绝缘层。

公开(公告)号：CN101692443B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200910130468.1

申请日：2009-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔敬世 ,  金秉瑞 ,  赵京淳 ,  周永宰 ,  郑礼贞 ,  李相熺 ,  孙大雨 ,  赵相贵 ,  河政圭 ,  赵暎相

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/14 ,  H01L23/28 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种薄膜覆晶型半导体封装及显示装置。薄膜覆晶型半导体封装显示了提高的散热效率，并且能够稳定地固定到电子设备上，且能够长时间使用。COF型半导体封装包括：柔性绝缘基底；半导体器件，设置在绝缘基底的顶表面上；散热部件，设置在绝缘基底的底表面上；粘结剂部件，用于附着绝缘基底的底表面和散热部件，其中，能够减轻外部施加的压力的压力吸收区域形成在绝缘基底的底表面和散热部件之间。