公开(公告)号：CN119730344A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411107642.1

申请日：2024-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟俱 ,  金贤真 ,  姜景元 ,  姜铉在 ,  金荣夏 ,  金桢吉 ,  金珍满 ,  金圣协 ,  李尚勋

IPC: H10D62/40 ,  H10D80/00 ,  H10D80/30 ,  H10B80/00 ,  H01L21/18

Abstract: 一种半导体器件可包括：第一半导体结构，其包括第一衬底结构的上表面上的第一器件层，第一器件层包括半导体器件的第一区域；以及第二半导体结构，其包括第二衬底结构的下表面上的第二器件层，第二器件层连接到第一器件层并且包括半导体器件的第二区域。第一衬底结构可包括第一晶片和第一晶片上的第二晶片。第二晶片可与第一器件层接触。第二衬底结构可包括第三晶片和第三晶片的下表面上的第四晶片。第四晶片可与第二器件层接触。第二晶片的上表面可以是(100)晶面。

公开(公告)号：CN119486254A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202410523365.6

申请日：2024-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高厦缆 ,  金荣夏 ,  姜铉在 ,  金珍满 ,  李钟俱

IPC: H10D84/83 ,  H01L23/528 ,  H10D84/03 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065

Abstract: 提供了集成电路器件及制造其的方法。该集成电路器件包括：第一半导体衬底，第一半导体衬底具有前侧表面和背侧表面；前道工序FEOL结构，FEOL结构位于所述第一半导体衬底的前侧表面上，FEOL结构包括多个鳍型有源区；第一后道工序BEOL结构，第一BEOL结构位于FEOL结构上；第二BEOL结构，第二BEOL结构位于第一半导体衬底的背侧表面上；以及第二半导体衬底，第二半导体衬底以FEOL结构和第一BEOL结构位于第二半导体衬底与第一半导体衬底之间的方式在垂直方向上与所述第一半导体衬底间隔开，其中，第一半导体衬底中平行于前侧表面延伸的第一晶向的杨氏模量不同于第二半导体衬底中在垂直方向上与第一晶向交叠并且平行于第一晶向延伸的第二晶向的杨氏模量。