公开(公告)号：CN112925740A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202011399390.6

申请日：2020-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铁雄 ,  金正烈 ,  柳成宪 ,  高玄珍 ,  金宇镒 ,  沈铉树

IPC: G06F15/78

Abstract: 在包括共用数据总线以传递数据的多个存储器单元的存储器系统中控制裸片上终结(ODT)的方法中，使得多个存储器单元的ODT电路进入初始状态，在对多个存储器单元当中的写入目标存储器单元的写入操作期间，将多个存储器单元当中的至少一个非写入目标存储器单元ODT电路的电阻值设置为第一电阻值，并且在对多个存储器单元当中的读取目标存储器单元的读取操作期间，将多个存储器单元当中的至少一个非读取目标存储器单元的ODT电路的电阻值设置为第二电阻值。

公开(公告)号：CN106027672B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201610524819.7

申请日：2007-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金正烈 ,  金洪三

IPC: H04L29/08 ,  H04W76/27 ,  H04W52/02

CPC classification number: H04L67/1095 ,  H04W52/0274 ,  H04W76/28 ,  Y02D70/142 ,  Y02D70/144 ,  Y02D70/23

Abstract: 一种在便携式终端装置中利用电力控制提供更新信息的方法。该方法包括：通过按照预定时间间隔供电而周期性地连接到服务器；确定在所连接的服务器中是否存在更新信息；和根据该确定结果，当确定在所连接的服务器中存在更新信息时，按照预定基础选择性地输出该更新信息。

公开(公告)号：CN100410905C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN03143667.6

申请日：2003-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金正烈 ,  姜昌万

IPC: G06F13/00 ,  G11C7/10 ,  G11C11/4093

CPC classification number: G11C7/1066 ,  G11C7/1012 ,  G11C7/1039 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1072

Abstract: 数据输出电路包括多个寄存器和多个寄存器输出选择开关，这些开关分别与所述多个寄存器相连。多个寄存器输出选择开关对通过各自的公共有源区相连。第一数据组选择开关与多个寄存器输出选择开关中第一组的公共有源区相连。第二数据组选择开关与多个寄存器输出选择开关中第二亚组的公共有源区相连。输出驱动器与第一和第二数据组选择开关相连。

公开(公告)号：CN109949844B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN201811310623.3

申请日：2018-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金正烈 ,  方遒锡 ,  李政勇 ,  林采一 ,  郑龙权

IPC: G11C11/406

Abstract: 公开一种存储器系统和操作存储器系统的方法。存储器控制器在刷新周期期间将一个或多个自刷新进入命令和随后的自刷新退出命令的命令对发送到半导体存储器装置。半导体存储器装置包括存储器单元阵列和刷新控制电路，存储器单元阵列包括多个存储器单元行，每个存储器单元行包括多个动态存储器单元。刷新控制电路在刷新周期期间，在自刷新模式下对所有存储器单元行执行刷新操作，刷新周期的自刷新模式响应于一个或多个命令对的每个自刷新进入命令而被配置，针对所述一个或多个命令对中的每个命令对，存储器控制器在刷新周期期间，将通过一个或多个时间间隙分开的至少一个自刷新进入命令和至少一个自刷新退出命令顺序地发送到半导体存储器装置。

公开(公告)号：CN112328167B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202010362398.9

申请日：2020-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳成宪 ,  金正烈 ,  奉斗源

IPC: G06F3/06

Abstract: 公开了一种存储器装置及其操作方法。所述存储器装置包括：命令解码器，被配置为接收命令；数据时钟接收电路，被配置为接收数据时钟信号；和控制逻辑，被配置为：基于由命令解码器解码的所述命令来控制数据时钟接收电路，并且启用数据时钟接收电路。响应于存储器装置接收到动态数据时钟命令，控制逻辑启用数据时钟接收电路。数据时钟接收电路处于启用状态，直到预定的特定命令被接收。

公开(公告)号：CN110033815B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201811541505.3

申请日：2018-12-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳成宪 ,  金正烈 ,  禹美英

IPC: G11C29/00 ,  G11C7/22 ,  G11C16/10

Abstract: 随机存取存储器(RAM)控制器与多个存储器连接。随机存取存储器控制器基于关于多个存储器的引导相关信息选择性地引导多个存储器中的至少一个存储器。

公开(公告)号：CN110890118B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201910393323.4

申请日：2019-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳成宪 ,  金正烈 ,  金铁雄 ,  金铉普 ,  林周延

IPC: G11C11/403 ,  G11C11/4072 ,  G11C11/409

Abstract: 提供一种半导体存储器装置和具有其的存储器系统。所述半导体存储器装置包括：上电信号生成器，被配置为响应于存储器电压达到目标电压电平生成上电信号；初始化器，被配置为响应于上电信号和复位信号生成初始化信号，并响应于初始化操作的完成生成初始刷新命令；以及存储器单元阵列，包括连接在多条字线与多条位线之间的多个存储器单元，存储器单元阵列被配置为：响应于初始刷新命令对所述多个存储器单元执行初始刷新操作。

公开(公告)号：CN109949844A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201811310623.3

申请日：2018-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金正烈 ,  方遒锡 ,  李政勇 ,  林采一 ,  郑龙权

IPC: G11C11/406

Abstract: 公开一种存储器系统和操作存储器系统的方法。存储器控制器在刷新周期期间将一个或多个自刷新进入命令和随后的自刷新退出命令的命令对发送到半导体存储器装置。半导体存储器装置包括存储器单元阵列和刷新控制电路，存储器单元阵列包括多个存储器单元行，每个存储器单元行包括多个动态存储器单元。刷新控制电路在刷新周期期间，在自刷新模式下对所有存储器单元行执行刷新操作，刷新周期的自刷新模式响应于一个或多个命令对的每个自刷新进入命令而被配置，针对所述一个或多个命令对中的每个命令对，存储器控制器在刷新周期期间，将通过一个或多个时间间隙分开的至少一个自刷新进入命令和至少一个自刷新退出命令顺序地发送到半导体存储器装置。

公开(公告)号：CN112328167A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202010362398.9

申请日：2020-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳成宪 ,  金正烈 ,  奉斗源

IPC: G06F3/06

Abstract: 公开了一种存储器装置及其操作方法。所述存储器装置包括：命令解码器，被配置为接收命令；数据时钟接收电路，被配置为接收数据时钟信号；和控制逻辑，被配置为：基于由命令解码器解码的所述命令来控制数据时钟接收电路，并且启用数据时钟接收电路。响应于存储器装置接收到动态数据时钟命令，控制逻辑启用数据时钟接收电路。数据时钟接收电路处于启用状态，直到预定的特定命令被接收。

公开(公告)号：CN110890118A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910393323.4

申请日：2019-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳成宪 ,  金正烈 ,  金铁雄 ,  金铉普 ,  林周延

IPC: G11C11/403 ,  G11C11/4072 ,  G11C11/409

Abstract: 提供一种半导体存储器装置和具有其的存储器系统。所述半导体存储器装置包括：上电信号生成器，被配置为响应于存储器电压达到目标电压电平生成上电信号；初始化器，被配置为响应于上电信号和复位信号生成初始化信号，并响应于初始化操作的完成生成初始刷新命令；以及存储器单元阵列，包括连接在多条字线与多条位线之间的多个存储器单元，存储器单元阵列被配置为：响应于初始刷新命令对所述多个存储器单元执行初始刷新操作。