公开(公告)号：CN109949844B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN201811310623.3

申请日：2018-11-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金正烈 ,  方遒锡 ,  李政勇 ,  林采一 ,  郑龙权

IPC分类号： G11C11/406

摘要： 公开一种存储器系统和操作存储器系统的方法。存储器控制器在刷新周期期间将一个或多个自刷新进入命令和随后的自刷新退出命令的命令对发送到半导体存储器装置。半导体存储器装置包括存储器单元阵列和刷新控制电路，存储器单元阵列包括多个存储器单元行，每个存储器单元行包括多个动态存储器单元。刷新控制电路在刷新周期期间，在自刷新模式下对所有存储器单元行执行刷新操作，刷新周期的自刷新模式响应于一个或多个命令对的每个自刷新进入命令而被配置，针对所述一个或多个命令对中的每个命令对，存储器控制器在刷新周期期间，将通过一个或多个时间间隙分开的至少一个自刷新进入命令和至少一个自刷新退出命令顺序地发送到半导体存储器装置。

公开(公告)号：CN109949844A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201811310623.3

申请日：2018-11-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金正烈 ,  方遒锡 ,  李政勇 ,  林采一 ,  郑龙权

IPC分类号： G11C11/406

摘要： 公开一种存储器系统和操作存储器系统的方法。存储器控制器在刷新周期期间将一个或多个自刷新进入命令和随后的自刷新退出命令的命令对发送到半导体存储器装置。半导体存储器装置包括存储器单元阵列和刷新控制电路，存储器单元阵列包括多个存储器单元行，每个存储器单元行包括多个动态存储器单元。刷新控制电路在刷新周期期间，在自刷新模式下对所有存储器单元行执行刷新操作，刷新周期的自刷新模式响应于一个或多个命令对的每个自刷新进入命令而被配置，针对所述一个或多个命令对中的每个命令对，存储器控制器在刷新周期期间，将通过一个或多个时间间隙分开的至少一个自刷新进入命令和至少一个自刷新退出命令顺序地发送到半导体存储器装置。