公开(公告)号：CN118262756A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311126478.4

申请日：2023-08-31

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 崔宰赫 ,  辛侑奂 ,  金主烨 ,  赵庸佑

IPC: G11C7/22 ,  G11C7/10

Abstract: 公开时钟生成器、存储器装置和时钟信号生成器。时钟生成器包括：相位控制器，响应于将输入时钟信号的相位与分频时钟信号的相位进行比较生成相位控制信息；振荡器，响应于相位控制信息和占空比控制信息生成同等输出频率但不同相位的多个振荡信号；占空比转换器，通过调整多个振荡信号的占空比生成输出频率的多个输出时钟信号，使得多个输出时钟信号具有比多个振荡信号的占空比小的占空比；时钟分频器，通过对多个输出时钟信号中的一个的输出频率进行分频生成分频时钟信号，使得分频时钟信号具有比输出频率小的分频频率；以及占空比校准器，响应于检测到多个输出时钟信号之间的占空比差生成用于调整多个输出时钟信号的占空比差的占空比控制信息。

公开(公告)号：CN114597211A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202111483604.2

申请日：2021-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹成美 ,  金主烨 ,  金旲炫 ,  魏胄滢 ,  任桐贤 ,  郑天炯

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体装置可包括：衬底，其包括凹部；栅极绝缘层，其在凹部的表面上；杂质屏障层，其在栅极绝缘层的表面上以覆盖栅极绝缘层的表面；第一栅极图案，其在杂质屏障层上以填充凹部的下部；第二栅极图案，其在凹部中的第一栅极图案上；封盖绝缘图案，其在第二栅极图案上以填充凹部；以及杂质区域，其在与凹部的上侧壁相邻的衬底处。杂质屏障层的氮的浓度可高于包括在栅极绝缘层中的氮的浓度。第二栅极图案可包括与第一栅极图案的材料不同的材料。杂质区域的下表面可高于第一栅极图案的上表面。因此，半导体装置可具有良好的特性。

公开(公告)号：CN112635465A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202010945220.7

申请日：2020-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹成美 ,  任桐贤 ,  金主烨 ,  魏胄滢 ,  李南勋 ,  郑天炯

IPC: H01L27/108

Abstract: 本发明提供了半导体器件及制造其的方法。该半导体器件可以包括有源图案、硅衬垫、绝缘层、隔离图案和晶体管。有源图案可以从基板突出。具有晶体结构的硅衬垫可以共形地形成在有源图案和基板的表面上。绝缘层可以形成在硅衬垫上。隔离图案可以形成在绝缘层上以填充与有源图案相邻的沟槽。晶体管可以包括栅极结构和杂质区域。栅极结构可以设置在硅衬垫上，并且杂质区域可以形成在硅衬垫和与栅极结构的两侧相邻的有源图案处。