公开(公告)号：CN1154546C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN99110200.2

申请日：1999-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊冀 ,  金昌桢 ,  郑一燮

IPC: B08B3/08 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02071 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31691

Abstract: 提供了一种采用浸蚀剂清洗PZT薄膜的方法。该方法采用HF(或缓冲氧化物浸蚀剂(BOE))和乙酸的混合物，或HF(BOE)、乙酸和醇的混合物，作为浸蚀剂，从而降低了PZT薄膜的浸蚀速率，该浸蚀速率在很大程度上取决于HF的浓度，进而可以采用这种浸蚀剂把PZT薄膜浸蚀去掉一个较薄的厚度为100埃或更薄。所以，只有PZT薄膜表面上的第二相晶体或浸蚀破坏层能被去除。

公开(公告)号：CN1241457A

公开(公告)日：2000-01-19

申请号：CN99110200.2

申请日：1999-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊冀 ,  金昌桢 ,  郑一燮

IPC: B08B3/08 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02071 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31691

Abstract: 提供了一种采用浸蚀剂清洗PZT薄膜的方法。该方法采用HF(或缓冲氧化物浸蚀剂(BOE)和乙酸的混合物,或HF(BOE)、乙酸和醇的混合物,作为浸蚀剂,从而降低了PZT薄膜的浸蚀速率,该浸蚀速率在很大程度上取决于HF的浓度,进而可以采用这种浸蚀剂把PZT薄膜浸蚀去掉一个较薄的厚度为100埃或更薄。所以,只有PZT薄膜表面上的第二相晶体或浸蚀破坏层能被去除。