公开(公告)号：CN1128466C

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN97111174.X

申请日：1997-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛和叔 ,  池京求 ,  郑灿旭

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/71

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01L21/28061

Abstract: 这里提供一种能使侧壁侵蚀减到最低的制备多硅化物栅极的方法。按此法首先在一个半导体衬底上依先后次序制备一层栅绝缘膜，一层多晶硅膜，和一层硅化物膜。而在硅化物膜上制备一掩模层。随后用一种氯氧混合气蚀刻硅化物膜和多晶硅膜。此处氧气最好包含蚀刻气体总量的10%到30%。

公开(公告)号：CN1172343A

公开(公告)日：1998-02-04

申请号：CN97111174.X

申请日：1997-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛和叔 ,  池京求 ,  郑灿旭

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/71

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01L21/28061

Abstract: 这里提供一种能使侧壁侵蚀减到最低的制备多硅化物栅极的方法。按此法首先在一个半导体衬底上依先后次序制备一层栅绝缘膜,一层多晶硅膜,和一层硅化物膜。而在硅化物膜上制备一掩模层。随后用一种氯氧混合气蚀刻硅化物膜和多晶硅膜。此处氧气最好包含蚀刻气体总量的10%到30%。

公开(公告)号：CN100495728C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200510119177.4

申请日：2005-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康美铉 ,  辛和叔 ,  李孟烈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42368 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 在具有高击穿电压的HV晶体管及其制造方法中，通过氧化一部分衬底使第一绝缘图案形成在半导体衬底上，并且形成第二绝缘图案，使得第一绝缘图案的至少一部分覆盖有第二绝缘图案。通过淀积导电材料到衬底上，在衬底上形成栅电极，栅电极含有第一末端部分和与第一末端部分相对的第二末端部分。第一末端部分形成在第一绝缘图案上，而第二末端部分形成在第二绝缘图案上。通过注入杂质到衬底上，在衬底的表面部分处形成源/漏区。减少了在栅电极的边缘部分处的电场强度，并且HV晶体管具有高击穿电压。

公开(公告)号：CN1828936A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200510119177.4

申请日：2005-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康美铉 ,  辛和叔 ,  李孟烈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42368 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 在具有高击穿电压的HV晶体管及其制造方法中，通过氧化一部分衬底使第一绝缘图案形成在半导体衬底上，并且形成第二绝缘图案，使得第一绝缘图案的至少一部分覆盖有第二绝缘图案。通过淀积导电材料到衬底上，在衬底上形成栅电极，栅电极含有第一末端部分和与第一末端部分相对的第二末端部分。第一末端部分形成在第一绝缘图案上，而第二末端部分形成在第二绝缘图案上。通过注入杂质到衬底上，在衬底的表面部分处形成源/漏区。减少了在栅电极的边缘部分处的电场强度，并且HV晶体管具有高击穿电压。