公开(公告)号：CN110416219B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201910359902.7

申请日：2019-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑恩宅 ,  申重植 ,  辛东润

IPC: H10B43/10 ,  H10B43/35 ,  H10B43/27 ,  H01L21/768

Abstract: 一种三维半导体存储器件包括：衬底；电极结构，包括在垂直于衬底的上表面延伸的第一方向上顺序地堆叠在衬底上的多个栅电极；在衬底与电极结构之间的源极导电图案；穿透电极结构和源极导电图案的垂直半导体图案；以及在垂直半导体图案与电极结构之间沿第一方向延伸的数据存储图案。数据存储图案的下表面接触源极导电图案。数据存储图案的下表面的一部分处于距离衬底的上表面的相对于数据存储图案的下表面的另一部分距离衬底的上表面的高度不同的高度处。

公开(公告)号：CN110416219A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910359902.7

申请日：2019-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑恩宅 ,  申重植 ,  辛东润

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/768

Abstract: 一种三维半导体存储器件包括：衬底；电极结构，包括在垂直于衬底的上表面延伸的第一方向上顺序地堆叠在衬底上的多个栅电极；在衬底与电极结构之间的源极导电图案；穿透电极结构和源极导电图案的垂直半导体图案；以及在垂直半导体图案与电极结构之间沿第一方向延伸的数据存储图案。数据存储图案的下表面接触源极导电图案。数据存储图案的下表面的一部分处于距离衬底的上表面的相对于数据存储图案的下表面的另一部分距离衬底的上表面的高度不同的高度处。