公开(公告)号：CN118804587A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202311647139.0

申请日：2023-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明东 ,  高承甫 ,  金根楠 ,  金钟珉 ,  金熙中 ,  朴台镇 ,  安东赫 ,  李基硕 ,  李敏永 ,  车仁镐

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/10 ,  H10B63/00

Abstract: 一种半导体存储器件包括：在第一方向上延伸并且在与所述第一方向交叉的所述第二方向上彼此间隔开的第一有源图案和第二有源图案。第一有源图案和第二有源图案包括：在第一方向上彼此间隔开的第一边缘部分和第二边缘部分以及位于它们之间的中央部分。位线节点接触位于中央部分上。位线位于位线节点接触上并且在与第一方向和第二方向交叉的第三方向上延伸。第一有源图案和第二有源图案的中央部分在第二方向上被顺序地设置。每个位线节点接触在顶表面的高度处具有第一宽度，在底表面的高度处具有第二宽度，并且在顶表面与底表面之间具有第三宽度，第三宽度小于第一宽度和第二宽度。

公开(公告)号：CN118695593A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410336809.5

申请日：2024-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高承甫 ,  姜秀真 ,  金钟珉 ,  安东赫 ,  吴智媛 ,  尹灿植 ,  李明东 ,  李敏永 ,  车仁镐

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括基板、沿第一水平方向在基板上延伸的字线、沿垂直于第一水平方向的第二水平方向在基板上延伸的位线以及在位线的侧壁上的间隔物结构，其中位线包括在基板上沿垂直方向堆叠的下导电层、中间导电层和上导电层，并且间隔物结构包括：耗尽停止层，在下导电层的侧壁上，在垂直方向上延伸，并且包括具有比硅氮化物层的界面陷阱密度小的界面陷阱密度的材料层；以及内间隔物，在垂直方向上延伸并且在耗尽停止层的侧壁上。