公开(公告)号：CN110021551B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN201910011917.4

申请日：2019-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹灿植 ,  金桐晤 ,  李基硕 ,  赵诚学 ,  朴济民

IPC: H01L21/762

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括单元区域和外围电路区域；单元绝缘图案，设置在衬底的单元区域中，限定单元有源区域；以及外围绝缘图案，设置在衬底的外围电路区域中，限定外围有源区域。外围绝缘图案包括具有第一宽度的第一外围绝缘图案和具有第二宽度的第二外围绝缘图案，第二宽度大于第一宽度。第一外围绝缘图案和第二外围绝缘图案中的至少一个的最上表面比单元绝缘图案的最上表面定位得更高。

公开(公告)号：CN107527912B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN201710455899.X

申请日：2017-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东镇 ,  金商宽 ,  李知恩 ,  赵诚学 ,  金锡享 ,  申素娟

IPC: H10B12/00

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括衬底和在衬底中的源极/漏极区。此外，半导体器件包括在衬底中的凹陷中的栅结构。该栅结构包括衬层，其包括第一部分和在第一部分之上的第二部分。第二部分比第一部分更靠近源极/漏极区。第二部分包括金属合金。形成半导体器件的方法也被提供。

公开(公告)号：CN110021551A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201910011917.4

申请日：2019-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹灿植 ,  金桐晤 ,  李基硕 ,  赵诚学 ,  朴济民

IPC: H01L21/762

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括单元区域和外围电路区域；单元绝缘图案，设置在衬底的单元区域中，限定单元有源区域；以及外围绝缘图案，设置在衬底的外围电路区域中，限定外围有源区域。外围绝缘图案包括具有第一宽度的第一外围绝缘图案和具有第二宽度的第二外围绝缘图案，第二宽度大于第一宽度。第一外围绝缘图案和第二外围绝缘图案中的至少一个的最上表面比单元绝缘图案的最上表面定位得更高。

公开(公告)号：CN107527912A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710455899.X

申请日：2017-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东镇 ,  金商宽 ,  李知恩 ,  赵诚学 ,  金锡享 ,  申素娟

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10823 ,  H01L21/28088 ,  H01L23/528 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括衬底和在衬底中的源极/漏极区。此外，半导体器件包括在衬底中的凹陷中的栅结构。该栅结构包括衬层，其包括第一部分和在第一部分之上的第二部分。第二部分比第一部分更靠近源极/漏极区。第二部分包括金属合金。形成半导体器件的方法也被提供。