公开(公告)号：CN107527912B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN201710455899.X

申请日：2017-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东镇 ,  金商宽 ,  李知恩 ,  赵诚学 ,  金锡享 ,  申素娟

IPC: H10B12/00

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括衬底和在衬底中的源极/漏极区。此外，半导体器件包括在衬底中的凹陷中的栅结构。该栅结构包括衬层，其包括第一部分和在第一部分之上的第二部分。第二部分比第一部分更靠近源极/漏极区。第二部分包括金属合金。形成半导体器件的方法也被提供。

公开(公告)号：CN107527912A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710455899.X

申请日：2017-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东镇 ,  金商宽 ,  李知恩 ,  赵诚学 ,  金锡享 ,  申素娟

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10823 ,  H01L21/28088 ,  H01L23/528 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括衬底和在衬底中的源极/漏极区。此外，半导体器件包括在衬底中的凹陷中的栅结构。该栅结构包括衬层，其包括第一部分和在第一部分之上的第二部分。第二部分比第一部分更靠近源极/漏极区。第二部分包括金属合金。形成半导体器件的方法也被提供。