公开(公告)号：CN109713122B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201811213731.9

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴容星 ,  金佑塡 ,  朴正宪 ,  吴世忠 ,  李俊明 ,  赵显

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10

Abstract: 提供了制造MRAM器件的方法和MRAM器件。该方法可以包括：在基板的上表面上形成第一电极；在第一电极上形成第一磁性层；在第一磁性层上形成隧道势垒结构；在隧道势垒结构上形成第二磁性层；以及在第二磁性层上形成第二电极。隧道势垒结构可以包括第一隧道势垒层和第二隧道势垒层，第一隧道势垒层和第二隧道势垒层顺序地堆叠在第一磁性层上并且可以沿着可与基板的上表面平行的水平方向具有彼此不同的电阻率分布。

公开(公告)号：CN109713122A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201811213731.9

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴容星 ,  金佑塡 ,  朴正宪 ,  吴世忠 ,  李俊明 ,  赵显

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08

Abstract: 提供了制造MRAM器件的方法和MRAM器件。该方法可以包括：在基板的上表面上形成第一电极；在第一电极上形成第一磁性层；在第一磁性层上形成隧道势垒结构；在隧道势垒结构上形成第二磁性层；以及在第二磁性层上形成第二电极。隧道势垒结构可以包括第一隧道势垒层和第二隧道势垒层，第一隧道势垒层和第二隧道势垒层顺序地堆叠在第一磁性层上并且可以沿着可与基板的上表面平行的水平方向具有彼此不同的电阻率分布。

公开(公告)号：CN109671645B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201811188675.8

申请日：2018-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正宪 ,  朴容星 ,  李俊明 ,  赵显 ,  吴世忠

IPC: H01L21/67 ,  H10N50/01

Abstract: 提供了工艺控制方法和工艺控制系统。所述方法包括：对由一组多个晶片限定的晶片组执行沉积工艺；对所述晶片组执行测量工艺以获得关于所述多个晶片中的至少一个晶片的测量值；通过使用所述测量值与参考值之间的差来产生所述沉积工艺中的工艺条件的因素的目标值；以及基于所述目标值提供关于后续晶片组的所述因素的输入值。提供所述因素的输入值的操作包括：获得先前产生的关于至少一个先前晶片组的所述因素的先前目标值，以及提供所述先前目标值和所述目标值的加权平均值作为所述输入值。

公开(公告)号：CN114512596A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202111318157.5

申请日：2021-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相奂 ,  金哉勋 ,  朴容星 ,  徐铉雨 ,  吴世忠 ,  赵显

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22

Abstract: 提供了一种包括磁隧道结的磁存储器件。磁隧道结包括固定层、在固定层上的极化增强结构、在极化增强结构上的隧道势垒层以及在隧道势垒层上的自由层，其中极化增强结构包括多个极化增强层以及将多个极化增强层彼此分开的至少一个间隔物层。多个极化增强层中的每个的厚度为从约至约且至少一个间隔物层的厚度为从约至约

公开(公告)号：CN110911550A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910871580.4

申请日：2019-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  朴镕盛 ,  朴正宪 ,  赵显 ,  皮雄焕

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22 ,  G11C11/16

Abstract: 一种磁性存储器装置、用于制造磁性存储器装置的方法以及衬底处理设备，所述装置包括：包括第一存储器区域和第二存储器区域的衬底；位于第一存储器区域上的第一磁性隧穿结图案，所述第一磁性隧穿结图案包括第一自由图案和位于第一自由图案上的第一氧化物图案；以及位于第二存储器区域上的第二磁性隧穿结图案，所述第二磁性隧穿结图案包括第二自由图案和位于第二自由图案上的第二氧化物图案，其中，第一氧化物图案的厚度与第一自由图案的厚度之比不同于第二氧化物图案的厚度与第二自由图案的厚度之比。

公开(公告)号：CN109671645A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201811188675.8

申请日：2018-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正宪 ,  朴容星 ,  李俊明 ,  赵显 ,  吴世忠

IPC: H01L21/67 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01L43/02 ,  H01L21/67253

Abstract: 提供了工艺控制方法和工艺控制系统。所述方法包括：对由一组多个晶片限定的晶片组执行沉积工艺；对所述晶片组执行测量工艺以获得关于所述多个晶片中的至少一个晶片的测量值；通过使用所述测量值与参考值之间的差来产生所述沉积工艺中的工艺条件的因素的目标值；以及基于所述目标值提供关于后续晶片组的所述因素的输入值。提供所述因素的输入值的操作包括：获得先前产生的关于至少一个先前晶片组的所述因素的先前目标值，以及提供所述先前目标值和所述目标值的加权平均值作为所述输入值。