公开(公告)号：CN108573860B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201710142850.9

申请日：2017-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪锡九 ,  姜美荣 ,  李孝圣 ,  赵庆容 ,  金宝螺 ,  金惠智 ,  赵先觉

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明构思的实施方案提供用于制造半导体器件的方法。所述方法包括：通过在基底上交替地且重复地堆叠绝缘层和牺牲层来形成堆叠结构，在所述堆叠结构上顺序地形成第一下部层和第一光刻胶图案，使用所述第一光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述第一下部层以形成第一下部图案。使用所述第一下部图案作为蚀刻掩模蚀刻所述堆叠结构的第一部分以形成阶梯式结构。所述第一下部层包括基于酚醛清漆的有机聚合物，并且所述第一光刻胶图案包括包含硅的聚合物。

公开(公告)号：CN108572513A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201710142957.3

申请日：2017-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪锡九 ,  姜美荣 ,  李孝圣 ,  赵庆容 ,  赵先觉

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/004 ,  G03F7/0757 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明构思的实施方式提供用于制造半导体器件的方法。所述方法包括形成包括交替地且重复地堆叠在基底上的绝缘层和牺牲层的堆叠结构。在所述堆叠结构上形成第一光刻胶图案。使用所述第一光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述堆叠结构的第一部分以形成阶梯式结构。所述第一光刻胶图案包括包含多个由以下化学式1和2表示的单元以及任选的多个由以下化学式3表示的单元的共聚物，其中“R1”、“R2”、“R3”、“p”、“q”和“r”与说明书中定义的相同。

公开(公告)号：CN108573860A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201710142850.9

申请日：2017-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪锡九 ,  姜美荣 ,  李孝圣 ,  赵庆容 ,  金宝螺 ,  金惠智 ,  赵先觉

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  H01L27/11551

Abstract: 本发明构思的实施方案提供用于制造半导体器件的方法。所述方法包括：通过在基底上交替地且重复地堆叠绝缘层和牺牲层来形成堆叠结构，在所述堆叠结构上顺序地形成第一下部层和第一光刻胶图案，使用所述第一光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述第一下部层以形成第一下部图案。使用所述第一下部图案作为蚀刻掩模蚀刻所述堆叠结构的第一部分以形成阶梯式结构。所述第一下部层包括基于酚醛清漆的有机聚合物，并且所述第一光刻胶图案包括包含硅的聚合物。

公开(公告)号：CN108572513B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201710142957.3

申请日：2017-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪锡九 ,  姜美荣 ,  李孝圣 ,  赵庆容 ,  赵先觉

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明构思的实施方式提供用于制造半导体器件的方法。所述方法包括形成包括交替地且重复地堆叠在基底上的绝缘层和牺牲层的堆叠结构。在所述堆叠结构上形成第一光刻胶图案。使用所述第一光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述堆叠结构的第一部分以形成阶梯式结构。所述第一光刻胶图案包括包含多个由以下化学式1和2表示的单元以及任选的多个由以下化学式3表示的单元的共聚物，其中“R1”、“R2”、“R3”、“p”、“q”和“r”与说明书中定义的相同。