公开(公告)号：CN101546693B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200810149291.5

申请日：2008-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南勉 ,  宋永勋 ,  金明哲 ,  朴荣周 ,  李时镛

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052

Abstract: 本发明提供了一种在集成电路制作过程中的构图方法，包括在半导体衬底上的第一区域中形成至少一个间隔物支持结构，并在所述间隔物支持结构的暴露表面和所述半导体衬底的第二区域上沉积掩模材料。从所述掩模材料位于所述第二区域中的部分上形成掩模结构，并且构图所述掩模材料，以在所述间隔物支持结构的侧壁形成间隔物，并且在所述掩模结构下形成掩模图案。所述间隔物支持结构和所述掩模结构由旋涂的相应的高碳含量材料组成，其具有基本相同的蚀刻选择性。

公开(公告)号：CN101546693A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200810149291.5

申请日：2008-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南勉 ,  宋永勋 ,  金明哲 ,  朴荣周 ,  李时镛

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052

Abstract: 本发明提供了一种在集成电路制作过程中的构图方法，包括在半导体衬底上的第一区域中形成至少一个间隔物支持结构，并在所述间隔物支持结构的暴露表面和所述半导体衬底的第二区域上沉积掩模材料。从所述掩模材料位于所述第二区域中的部分上形成掩模结构，并且构图所述掩模材料，以在所述间隔物支持结构的侧壁形成间隔物，并且在所述掩模结构下形成掩模图案。所述间隔物支持结构和所述掩模结构由旋涂的相应的高碳含量材料组成，其具有基本相同的蚀刻选择性。