公开(公告)号：CN120076319A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202411583640.X

申请日：2024-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真范 ,  张星旭 ,  赵仁海 ,  金灿烂 ,  梁锡 ,  张诚桓 ,  韩秀彬

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种制造半导体存储器件的方法包括：在基板上形成包括沟道图案的沟道结构；在沟道结构上形成包括半导体材料和金属的合金的硅化物材料层，该金属包括共晶成分；在沟道结构和硅化物材料层之间形成牺牲半导体层，并形成围绕牺牲半导体层的模层；通过去除牺牲半导体层形成电容器孔；形成填充电容器孔的下电极；去除模层；形成覆盖下电极的表面的电容器电介质层；以及形成覆盖电容器电介质层的上电极。

公开(公告)号：CN120050997A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202411113347.7

申请日：2024-08-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵仁海 ,  金真范 ,  梁锡 ,  韩秀彬

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明构思的技术思想的半导体装置包括：第一晶体管，其包括在第一方向上延伸的第一沟道区域和接触第一沟道区域的第一源极/漏极区域；第二晶体管，其包括第二沟道区域和接触第二沟道区域的第二源极/漏极区域，该第二沟道区域在第一晶体管上，并且在垂直于第一方向的第二方向上与第一晶体管间隔开并在第一方向上延伸；伪层，其在第一晶体管下方；保护层，其在伪层下方，并且包括在第一方向上凹进的凹进部分；以及间隔件，其在凹进部分上。

公开(公告)号：CN119947085A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202410930454.2

申请日：2024-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真范 ,  南大镇 ,  朴孝真 ,  孙秀旼 ,  杨贵福 ,  李炅奎 ,  赵仁海

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括器件隔离图案和有源区；位线，所述位线在所述衬底上在第一方向上延伸；半导体图案，所述半导体图案位于所述位线上；生长掩模层，所述生长掩模层位于所述位线上并具有与所述半导体图案接触的侧壁；字线，所述字线位于所述位线上并在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及栅极电介质图案，所述栅极电介质图案位于所述字线和所述半导体图案之间。所述生长掩模层的顶表面处于高于所述半导体图案的底表面的高度的高度处。