Patent search ap:("三星电子株式会社") AND inv:"金灿烂" Page 1

1.

发明公开
制造半导体存储器件的方法审中-公开

公开(公告)号：CN120076319A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202411583640.X

申请日：2024-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真范 , 张星旭 , 赵仁海 , 金灿烂 , 梁锡 , 张诚桓 , 韩秀彬

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种制造半导体存储器件的方法包括：在基板上形成包括沟道图案的沟道结构；在沟道结构上形成包括半导体材料和金属的合金的硅化物材料层，该金属包括共晶成分；在沟道结构和硅化物材料层之间形成牺牲半导体层，并形成围绕牺牲半导体层的模层；通过去除牺牲半导体层形成电容器孔；形成填充电容器孔的下电极；去除模层；形成覆盖下电极的表面的电容器电介质层；以及形成覆盖电容器电介质层的上电极。

Patent Agency Ranking