公开(公告)号：CN109698109B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN201811228077.9

申请日：2018-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李永光 ,  姜姓佶 ,  南象基 ,  许桄熀 ,  韩奎熙

IPC: H01J37/32

Abstract: 腔室具有上壳体和下壳体并接收反应气体。第一等离子体源包括电子束源，电子束源将电子束提供到上壳体中以产生上部等离子体。第二等离子体源包括孔，孔在连接上壳体和下壳体的孔内产生下部等离子体。上部等离子体的自由基、下部等离子体的自由基和下部等离子体的离子通过所述孔被提供到下壳体，使得下壳体具有离子与自由基在浓度上的预定比率的自由基和离子。第二等离子体源将腔室分成上壳体和下壳体。晶片卡盘位于下壳体中以接收晶片。

公开(公告)号：CN109559967A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811117706.0

申请日：2018-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南象基 ,  林成龙 ,  刘钒镇 ,  宣钟宇 ,  韩奎熙 ,  许桄熀 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供了一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。所述等离子体处理装置包括：腔室，其包括用于处理衬底的空间；衬底台，其在所述腔室内支撑所述衬底并且包括下电极；上电极，其在所述腔室内面向所述下电极；第一电源，其包括正弦波电源，所述正弦波电源被配置为将正弦波功率施加到所述下电极以在所述腔室内形成等离子体；以及第二电源，其被配置为将非正弦波功率施加到所述上电极以产生电子束。

公开(公告)号：CN109698110B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201811235291.7

申请日：2018-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南象基 ,  姜姓佶 ,  林成龙 ,  刘钒镇 ,  舆石公 ,  V.帕什科夫斯基 ,  许桄熀

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本公开提供了中空阴极以及用于制造半导体器件的装置和方法。一种中空阴极包括具有阴极孔的绝缘板。底电极在绝缘板下面。底电极限定第一孔，该第一孔具有比阴极孔的宽度大的宽度。顶电极在绝缘板的与底电极相反的一侧。顶电极限定第二孔，该第二孔沿着垂直于绝缘板的上表面的方向与第一孔对准。

公开(公告)号：CN109698110A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811235291.7

申请日：2018-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南象基 ,  姜姓佶 ,  林成龙 ,  刘钒镇 ,  舆石公 ,  V.帕什科夫斯基 ,  许桄熀

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32596 ,  H01J1/025 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/3065

Abstract: 本公开提供了中空阴极以及用于制造半导体器件的装置和方法。一种中空阴极包括具有阴极孔的绝缘板。底电极在绝缘板下面。底电极限定第一孔，该第一孔具有比阴极孔的宽度大的宽度。顶电极在绝缘板的与底电极相反的一侧。顶电极限定第二孔，该第二孔沿着垂直于绝缘板的上表面的方向与第一孔对准。

公开(公告)号：CN109698109A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811228077.9

申请日：2018-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李永光 ,  姜姓佶 ,  南象基 ,  许桄熀 ,  韩奎熙

IPC: H01J37/32

Abstract: 腔室具有上壳体和下壳体并接收反应气体。第一等离子体源包括电子束源，电子束源将电子束提供到上壳体中以产生上部等离子体。第二等离子体源包括孔，孔在连接上壳体和下壳体的孔内产生下部等离子体。上部等离子体的自由基、下部等离子体的自由基和下部等离子体的离子通过所述孔被提供到下壳体，使得下壳体具有离子与自由基在浓度上的预定比率的自由基和离子。第二等离子体源将腔室分成上壳体和下壳体。晶片卡盘位于下壳体中以接收晶片。