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公开(公告)号：CN110875393B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201910500036.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括基底，基底具有分隔开并且平行地纵向延伸的第一鳍和第二鳍。鳍残余设置在第一鳍与第二鳍之间，与第一鳍和第二鳍平行地纵向延伸，并且具有比第一鳍和第二鳍中的每个的高度低的高度。第一场绝缘层设置在第一鳍的侧壁与鳍残余的第一侧壁之间，第二场绝缘层设置在第二鳍的侧壁上。阻挡衬里沿由鳍残余的第二侧壁和第二场绝缘层的侧壁界定的沟槽的侧壁和底表面设置。沟槽绝缘层在沟槽中设置在阻挡衬里上。
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公开(公告)号：CN110875393A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910500036.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括基底，基底具有分隔开并且平行地纵向延伸的第一鳍和第二鳍。鳍残余设置在第一鳍与第二鳍之间，与第一鳍和第二鳍平行地纵向延伸，并且具有比第一鳍和第二鳍中的每个的高度低的高度。第一场绝缘层设置在第一鳍的侧壁与鳍残余的第一侧壁之间，第二场绝缘层设置在第二鳍的侧壁上。阻挡衬里沿由鳍残余的第二侧壁和第二场绝缘层的侧壁界定的沟槽的侧壁和底表面设置。沟槽绝缘层在沟槽中设置在阻挡衬里上。
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公开(公告)号：CN110931545B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201910811500.6
申请日：2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的有源鳍；在衬底上的第一隔离图案；所述第一隔离图案在每个有源鳍的下侧壁上延伸；第三隔离图案，包括延伸到第一隔离图案中的上部和延伸到衬底的上部中的下部，该下部与第三隔离图案的上部接触，并且该下部的下表面的宽度大于该下部的上表面的宽度；以及第二隔离图案，在第三隔离图案下方在衬底中延伸，与第三隔离图案接触，并且具有圆形下表面。
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公开(公告)号：CN114122137A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111002444.5
申请日：2021-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括在衬底上的第一鳍状图案和第二鳍状图案，该第一鳍状图案和第二鳍状图案在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开。第一外延图案可以在第一鳍状图案上，第二外延图案可以在第二鳍状图案上。场绝缘层可以在衬底上，并且可以覆盖第一鳍状图案的侧壁、第二鳍状图案的侧壁、第一外延图案的侧壁的一部分和第二外延图案的侧壁的一部分。场绝缘层的顶表面可以高于第一外延图案的底表面和第二外延图案的底表面。
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公开(公告)号：CN115440729A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210470214.X
申请日：2022-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供了半导体器件。所述半导体器件可以包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，所述第一鳍型图案和所述第二鳍型图案位于衬底上；第一外延图案，所述第一外延图案位于所述第一鳍型图案上；第二外延图案，所述第二外延图案位于所述第二鳍型图案上；以及下场绝缘膜，所述下场绝缘膜位于所述衬底上并且在所述第一鳍型图案的侧壁和所述第二鳍型图案的侧壁上延伸，其中，所述下场绝缘膜包括在第三方向上突出的突起。所述下场绝缘膜的所述突起可以位于所述第一鳍型图案与所述第二鳍型图案之间，并且所述下场绝缘膜的所述突起的顶表面的垂直高度随着距所述第一鳍型图案的所述侧壁的距离增加而先增加后减小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110931545A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910811500.6
申请日：2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的有源鳍；在衬底上的第一隔离图案；所述第一隔离图案在每个有源鳍的下侧壁上延伸；第三隔离图案，包括延伸到第一隔离图案中的上部和延伸到衬底的上部中的下部，该下部与第三隔离图案的上部接触，并且该下部的下表面的宽度大于该下部的上表面的宽度；以及第二隔离图案，在第三隔离图案下方在衬底中延伸，与第三隔离图案接触，并且具有圆形下表面。
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公开(公告)号：CN111799329B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202010188610.4
申请日：2020-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体器件包括衬底、第一鳍和第二鳍。所述第一鳍和所述第二鳍在所述衬底上沿第一方向彼此间隔开，并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。所述半导体器件还包括：第一浅沟槽，所述第一浅沟槽形成在所述第一鳍与所述第二鳍之间；以及场绝缘膜，所述场绝缘膜填充所述第一浅沟槽的至少一部分。所述场绝缘膜包括第一部分、与所述第一部分相邻的第二部分以及与所述第二部分相邻并且与所述第一浅沟槽的侧壁相邻的第三部分。所述第一部分包括所述场绝缘膜的上表面的在所述第一方向上的中心部分。所述场绝缘膜的所述上表面为朝着所述衬底凹入的大括号形状。
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公开(公告)号：CN114678354A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202111280106.8
申请日：2021-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/06
Abstract: 一种集成电路器件，包括：鳍型有源区，位于衬底上并且包括位于第一水平高度处的鳍顶表面；栅极线，位于所述鳍型有源区上；以及绝缘结构，位于所述鳍型有源区的侧壁上。所述绝缘结构包括：第一绝缘衬垫，与所述鳍型有源区的侧壁接触；第二绝缘衬垫，位于所述第一绝缘衬垫上，并且包括位于比所述第一水平高度低的第二水平高度处的最上部；下掩埋绝缘层，面对所述鳍型有源区的侧壁，并且包括在比所述第二水平高度低的第三水平高度处面对所述栅极线的第一顶表面；以及上掩埋绝缘层，位于所述下掩埋绝缘层与所述栅极线之间，并且包括位于等于或高于所述第二水平高度的第四水平高度处的第二顶表面。
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公开(公告)号：CN112768449A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011122787.0
申请日：2020-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/762
Abstract: 本发明构思涉及半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：在衬底上的第一有源图案和第二有源图案，第一和第二有源图案在第一方向上彼此相邻且第一沟槽在第一有源图案与第二有源图案之间；在衬底上的第三有源图案和第四有源图案，第三有源图案和第四有源图案在第一方向上彼此相邻且第二沟槽在第三有源图案与第四有源图案之间。该半导体器件包括在第一沟槽中的第一器件隔离层和在第二沟槽中的第二器件隔离层。第二沟槽在第一方向上的宽度大于第一沟槽在第一方向上的宽度。第二器件隔离层包括从第二器件隔离层的顶表面突出的第一突起和第二突起。
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公开(公告)号：CN111799329A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010188610.4
申请日：2020-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体器件包括衬底、第一鳍和第二鳍。所述第一鳍和所述第二鳍在所述衬底上沿第一方向彼此间隔开，并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。所述半导体器件还包括：第一浅沟槽，所述第一浅沟槽形成在所述第一鳍与所述第二鳍之间；以及场绝缘膜，所述场绝缘膜填充所述第一浅沟槽的至少一部分。所述场绝缘膜包括第一部分、与所述第一部分相邻的第二部分以及与所述第二部分相邻并且与所述第一浅沟槽的侧壁相邻的第三部分。所述第一部分包括所述场绝缘膜的上表面的在所述第一方向上的中心部分。所述场绝缘膜的所述上表面为朝着所述衬底凹入的大括号形状。
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