公开(公告)号：CN102169934B

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201110056959.3

申请日：2011-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金制远 ,  张泰盛 ,  禹钟均 ,  李钟昊

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/36 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L27/156 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光装置及其制造方法，所述半导体发光装置包括：基底；多个发光单元，布置在所述基底上，每个发光单元包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的用于发射蓝光的有源层；互连结构，将发光单元的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层中的至少一个电连接到其它发光单元的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层中的至少一个；光转换部分，形成在由多个发光单元限定的发光区域的至少一部分中，所述光转换部分包括具有红光转换材料的红光转换部分和具有绿光转换材料的绿光转换部分中的至少一个。