公开(公告)号：CN118016130A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202310944018.6

申请日：2023-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金注男 ,  朴世准 ,  辛刚仁 ,  申昌焕 ,  李惠志 ,  张佑在

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/10

Abstract: 提供了存储器装置和存储器装置的操作方法。所述存储器装置包括存储器单元阵列、电压生成器和控制逻辑，存储器单元阵列包括多个存储器单元，电压生成器被配置为生成在数据写入操作期间施加到所述多个存储器单元的编程电压和验证电压，控制逻辑被配置为：在数据写入操作期间控制多个编程循环，以将所述多个存储器单元编程到多个编程状态，并且被配置为确定在所述多个编程循环中编程是通过还是失败，其中，控制逻辑控制所述多个编程循环，以在所述多个编程循环中的至少一个编程循环中通过使用用于验证第n编程状态的验证条件来验证将被编程到第n+1编程状态的一个或多个第n+1存储器单元(n是大于或等于1的整数)。

公开(公告)号：CN111627480A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010118717.1

申请日：2020-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申昌焕 ,  宋哲 ,  李昌燮

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/14 ,  G11C16/24

Abstract: 本公开提供垂直存储器件及其操作方法。提供一种存储器件的操作方法，该存储器件包括在基板上的多个串，其中所述多个串包括连接到位线的主串和与所述位线间隔开的虚拟串，所述操作方法包括：预编程虚拟串；以及擦除主串和虚拟串，其中预编程包括：将预编程电压施加到连接到虚拟串的字线；将通过电压施加到连接到虚拟串的地选择晶体管的地选择线；以及将公共源极线电压施加到连接到虚拟串的公共源极线。